鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽(yáng)能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無(wú)定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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預(yù)約詳情

表面能

 
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第一性原理

樣品準(zhǔn)備須知!??!



1.請(qǐng)務(wù)必確認(rèn)方案內(nèi)容,最后結(jié)果交付以方案內(nèi)容為準(zhǔn)(除卻中間有意外,另行溝通情況),凡是在結(jié)果交付后,另外補(bǔ)加的要求,需另外評(píng)估是否收費(fèi)。

2.在計(jì)算初期確認(rèn)模型時(shí),請(qǐng)務(wù)必仔細(xì)認(rèn)真確認(rèn)該模型,結(jié)果交付后,不接受因?yàn)槟P蛦?wèn)題提出的更改模型的售后要求。

3.請(qǐng)務(wù)必確認(rèn)信息提供準(zhǔn)確且沒(méi)有遺漏,信息盡量提供全面,如果在計(jì)算開始以后,又增加信息,視情況協(xié)商對(duì)原方案的影響以及收費(fèi)情況。

4.對(duì)于軟件版權(quán)問(wèn)題,需要自己解決,如果需要我方解決,請(qǐng)?zhí)崆皽贤ㄕf(shuō)明,我們盡量解決,但不必須確保解決,不接受因此不付款的理由。

5.最后結(jié)果交付內(nèi)容包括:計(jì)算方法(不是計(jì)算結(jié)果的分析)的說(shuō)明,最終的結(jié)構(gòu)文件,某些涉及作圖所需的數(shù)據(jù)。除以上內(nèi)容之外,有其他要求,請(qǐng)?zhí)崆罢f(shuō)明。交付結(jié)果后,另外提出的要求,我們會(huì)盡量協(xié)助解決,但不保證一定能解決。

6.我們保證計(jì)算結(jié)果的真實(shí)性和有效性,但是無(wú)法保證計(jì)算結(jié)果一定符合您的預(yù)期,請(qǐng)務(wù)必確認(rèn)該風(fēng)險(xiǎn)。

7.我們不承擔(dān)拒稿責(zé)任哦,但是我們會(huì)盡量協(xié)助解決審稿意見的問(wèn)題,涉及需要補(bǔ)算的內(nèi)容,需要另評(píng)估收費(fèi)。

8.交付結(jié)果后,請(qǐng)?jiān)谝恢軆?nèi)反饋結(jié)果問(wèn)題。長(zhǎng)時(shí)間不查看結(jié)果,結(jié)果問(wèn)題反饋時(shí)間距離交付結(jié)果時(shí)間太久的,我們視情況進(jìn)行問(wèn)題的解答(因?yàn)樵磾?shù)據(jù)不一定還有保留,所以一定要及時(shí)反饋哦)。

9.再次提醒:有不懂的可以多交流,但是交付結(jié)果后,請(qǐng)不要以“我不懂計(jì)算”為理由,提出不對(duì)應(yīng)原方案的另外的要求,我們最終交付結(jié)果均以方案為核對(duì)參考。



樣品測(cè)試填寫要求注意事項(xiàng)

1.請(qǐng)問(wèn)您是研究什么方向的呢

電催化、光催化、熱催化、電池半導(dǎo)體、能源其他

2.是否已經(jīng)有對(duì)接老師和您溝通好需求,現(xiàn)在需要下單了?

已經(jīng)溝通好需求,現(xiàn)在需要下單、還沒(méi)有溝通,這是我的新需求

3.請(qǐng)?jiān)俸?jiǎn)單描述下您的計(jì)算內(nèi)容

4.提醒:下單支付完畢才會(huì)安排計(jì)算,支付完發(fā)單號(hào)給對(duì)接工程師哦


項(xiàng)目簡(jiǎn)介

第一性原理計(jì)算的基本思想是將多個(gè)原子構(gòu)成的體系看成是由多個(gè)電子和原子核組成的系統(tǒng),并根據(jù)量子力學(xué)的基本原理對(duì)問(wèn)題進(jìn)行最大限度的非經(jīng)驗(yàn)性處理。它只需要5個(gè)基本常數(shù)(m0,e,hc,kB)就可以計(jì)算出體系的能量和電子結(jié)構(gòu)等物理性質(zhì)。它可以確定已知材料的結(jié)構(gòu)和基礎(chǔ)性質(zhì),并實(shí)現(xiàn)原子級(jí)別的精準(zhǔn)控制,是現(xiàn)階段解決實(shí)驗(yàn)理論問(wèn)題和預(yù)測(cè)新材料結(jié)構(gòu)性能的有力工具。并且,第一性原理計(jì)算不需要開展真實(shí)的實(shí)驗(yàn),極大地節(jié)省了實(shí)驗(yàn)成本,現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于化學(xué)、物理、生命科學(xué)和材料學(xué)等領(lǐng)域。

適合的研究方向包括但不限于:催化、電池、半導(dǎo)體、金屬材料、非金屬材料、合金、納米材料等

可以計(jì)算的體系包括但不限于:晶體、非晶、二維材料、表面、界面、固體等

常用軟件:VASP,MS,CP2K,QE

可以計(jì)算的內(nèi)容包括但不限于:

材料的幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)(如鍵長(zhǎng)、鍵角、二面角、晶格常數(shù)、原子位置等)

材料的電子結(jié)構(gòu)信息(如電荷密度、電荷差分密度、態(tài)密度、能帶、費(fèi)米能級(jí)、功函數(shù)、ELF等)

材料的光學(xué)性質(zhì)(如介電常數(shù)等)

材料的力學(xué)性質(zhì)(如彈性模量等)

材料的磁學(xué)性質(zhì)(如磁導(dǎo)率等)

材料的晶格動(dòng)力學(xué)性質(zhì)(如聲子譜等)

材料的表面性質(zhì)(如吸附能,催化計(jì)算等)

復(fù)合材料的性質(zhì)(異質(zhì)結(jié)等內(nèi)容)等等

表面能


計(jì)算內(nèi)容

1)定義:表面能是從體相創(chuàng)造出單位面積表面所需的能量。

2)說(shuō)明:Surface energy for different planes as a function of the HCl concentration ( at room temperature and (right) side view of the different surfaces with the densest HCl coverage. The general trend shown in Fig. 2 is that the (100) surface is the most stable over the whole range of concentrations. With regard to the rest of surfaces, it is important to notice that, although the (311) and (511) faces are less stable than the (110) surface at low HCl concentrations, the situation is the opposite for large HCl amounts. In order to validate our approach, we repeated the calculations for the (100) surface considering the system solvated by the continuum model for water.

文獻(xiàn)來(lái)源:10.1039/c7nr03889e


結(jié)果展示

原子電荷:




差分電荷:

態(tài)密度DOS


投影態(tài)密度PDOS


功函數(shù):

能帶:


吸附能:


分解能:



遷移能壘:


催化-HER




催化-OER/ORR:

催化-CO2-RR:


樣品要求

最好提供晶體結(jié)構(gòu)文件,即cif文件;

或者可以提供與XRD實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)匹配的PDF卡片信息;

如果是表面結(jié)構(gòu),還需要提供晶面信息;如結(jié)構(gòu)有改性(空位、摻雜、位錯(cuò)等),還需要說(shuō)明細(xì)節(jié)


常見問(wèn)題

1. 為什么能帶計(jì)算值一般低于實(shí)驗(yàn)值?

這是PBE本身的問(wèn)題,PBE是一種GGA泛函,有較強(qiáng)的自相互作用問(wèn)題,導(dǎo)致電子偏向離域、帶隙低估等一系列問(wèn)題。一般計(jì)算得到的帶隙比實(shí)驗(yàn)低30%~50%。這種低估并不是說(shuō)方法就不可以用,我們還是可以把這個(gè)方法拿來(lái)做定性分析。

解決辦法,方法有DFT+U、mBJ+U、雜化泛函

2. 為什么有些體系要加U?

測(cè)試提示:

1.可開正規(guī)測(cè)試發(fā)票,附帶測(cè)試清單。

2.有腐蝕性,毒性,或其他有危害性等特殊樣品要事先告知測(cè)試人員,測(cè)試人員也要告知樣品方哪些樣品不能測(cè)或會(huì)對(duì)儀器產(chǎn)生損傷,測(cè)試后會(huì)對(duì)樣品產(chǎn)生哪些變化;

3.客戶需提供詳細(xì)的樣品資料,包括元素,主要成分和詳細(xì)測(cè)試參數(shù)及條件。和測(cè)試人員充分討論,商定最終測(cè)試條件;

4.測(cè)試人員與顧客通過(guò)QQ,微信或郵件溝通,出現(xiàn)測(cè)試糾紛,郵件或聊天記錄將作為重要的仲裁依據(jù);請(qǐng)加QQ和技術(shù)人員交流。QQ:82187958。微信:15071040697

5.杜絕測(cè)試、解析和合成違反國(guó)家相關(guān)法律法規(guī)的樣品,一經(jīng)發(fā)現(xiàn)將追究其法律責(zé)任。




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