鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計原子熒光光度計(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動態(tài)熱機械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費休水分測定儀自動電位滴定儀電化學(xué)儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計有機鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機元素分析儀(EA)粘度計振動樣品磁強計(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機時同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實密度正極材料-振實密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測定負(fù)極材料-有機物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
設(shè)為首頁 | 收藏本站

透射電鏡觀察有機無機雜化鈣鈦礦

 二維碼
發(fā)表時間:2020-07-02 14:08作者:鑠思百檢測來源:鑠思百檢測

透射電鏡觀察有機無機雜化鈣鈦礦

近年來,由于高效的光電轉(zhuǎn)換效率,基于有機無機雜化鈣鈦礦材料(CH3NH3PI3,MAPbI3)的太陽能電池得到了飛速發(fā)展。近十年來,其光電轉(zhuǎn)換效率已從最初的3.8%迅速增長至目前的25.2%,幾乎可以媲美單晶硅太陽能電池。然而該技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用卻受限于雜化鈣鈦礦材料的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性,高溫、氧氣、潮濕環(huán)境、光照等加速材料分解進而引起器件性能衰減。因此,有必要深化對降解機理的認(rèn)識,從而指導(dǎo)器件設(shè)計和材料的合成。

近日,北京大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、石家莊鐵道大學(xué)、中科院深圳先進技術(shù)研究院等單位合作,利用透射電子顯微鏡,系統(tǒng)研究了有機無機雜化鈣鈦礦在電子輻照下的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性,揭示了有機無機雜化鈣鈦礦普適性的分解路徑,探究了影響其分解的主要因素,提出了抑制分解的有效策略,并且根據(jù)它們對電子束敏感的特征,提出了在電鏡表征過程中如何正確判斷是否有分解以及緩解分解過程等。相關(guān)成果分別發(fā)表在 Advanced MaterialsScience Bulletin上,來自哈爾濱工業(yè)大學(xué)和北京大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)博士研究生陳樹林和石家莊鐵道大學(xué)研究生張穎為文章的共同第一作者,北京大學(xué)高鵬研究員、哈爾濱工業(yè)大學(xué)亓鈞雷教授、石家莊鐵道大學(xué)趙晉津教授和中科院深圳先進技術(shù)研究院李江宇教授為共同通訊作者,詳見:

  • General decomposition pathway of organic-inorganic hybrid perovskites through an intermediate superstructure and its suppression mechanism, Advanced Materials, 2020, 2001107, doi: 10.1002/adma.202001107;

  • Transmission electron microscopy of organic-inorganic hybrid perovskites: myths and truths, Science Bulletin 2020 (in press), arXiv:2004.12262.

該合作團隊在過去幾年一直致力于有機無機雜化鈣鈦礦分解機理的研究。他們通過自生長方式利用溫度梯度和毛細(xì)效應(yīng),在多級孔半導(dǎo)體基底上自主裝制備了高質(zhì)量的MAPbI3大單晶薄膜(Science Bulletin 62, 1173–1176, 2017)。他們借助透射電子顯微鏡,通過嚴(yán)格控制電子束劑量率,研究了大單晶MAPbI3的電子衍射標(biāo)定問題,發(fā)現(xiàn)了該材料即使在低電子束劑量下也不穩(wěn)定,估計了在電子束輻照條件下避免損傷的閾值條件,并揭示了相應(yīng)的分解路徑(Nature Communications, 9, 4807, 2018)。在前期工作的基礎(chǔ)上,他們最近進一步驗證了所提出的分解路徑是否具有普適性,并探究了影響分解的主要因素,提出了抑制分解的策略。

成果1

有機無機雜化鈣鈦礦普適性的分解路徑及抑制

研究者首先通過低電子束劑量率(1 e ?-2 s-1)的電子衍射技術(shù)表征了單晶MAPbI3,發(fā)現(xiàn)隨著電子束劑量的增加,衍射圖譜中會產(chǎn)生超結(jié)構(gòu)衍射點,他們認(rèn)為超結(jié)構(gòu)衍射點可能是由有序的鹵族離子空位(MAPbI2.5)導(dǎo)致的。并且模擬的電子衍射可以較好地和實驗的電子衍射圖譜吻合,說明了這種有序空位結(jié)構(gòu)的合理性。同樣地采用電子衍射成像,他們在MAPbBr3以及無機鈣鈦礦CsPbBr3中也發(fā)現(xiàn)了含有有序鹵族離子空位的超結(jié)構(gòu)相,這表明ABO2.5形式的有序空位不僅僅是MAPbI3中的特例,在有機無機雜化鈣鈦礦及全無機鈣鈦礦中也普遍存在,類似于在ABO2.5形式的鈣鈦礦氧化物中觀察到的空位。

圖1. MAPbI3和MAPbBr3中形成的超結(jié)構(gòu)

超結(jié)構(gòu)衍射點代表的有序空位是由于電子照射下鹵族離子的丟失所致,因此與雜化鈣鈦礦的分解密切相關(guān)。連續(xù)的電子衍射分析表明,MAPbI3的分解可能先是由碘離子的丟失引起的,形成超結(jié)構(gòu)相MAPbI2.5,然后進一步丟失甲胺根離子和剩余的碘離子形成MAyPbI2.5-z (0≤y≤1和0≤z≤0.5),伴隨著超結(jié)構(gòu)相的消失,最后分解成PbI2。類似的分解過程在MAPbBr3輻照過程中也被觀察到。故而無論是四方的MAPbI3還是立方的MAPbBr3,在電子束的輻照下都會產(chǎn)生有序的鹵族離子空位,生成MAPbX2.5中間相,并進一步丟失甲胺根離子和剩余的鹵族離子,最終造成鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的崩塌,生成鹵族鉛化物(PbX2)。

值得注意的是,由于MAPbI3的分解產(chǎn)物PbI2的電子衍射圖譜和MAPbI3的衍射圖譜十分接近(通常PbI2會比MAPbI3少一些衍射點),但很多文獻卻沒有注意到這些細(xì)微的差別,從而錯誤地把PbI2的衍射圖譜標(biāo)定成MAPbI3(如表1所示)。相比較而言,文獻里MAPbBr3的電子衍射標(biāo)定幾乎都是正確的,因為MAPbBr3結(jié)構(gòu)相對較穩(wěn)定,損傷的閾值劑量要更高。

圖2. MAPbI3和MAPbBr3普適的分解路徑

表1.文獻中關(guān)于MAPbI3電子衍射或者快速傅里葉變化圖譜的研究

可以注意到,這類雜化鈣鈦礦在較低的劑量下就會發(fā)生損傷并分解成鹵族鉛化物。這極大地阻礙了精細(xì)的電鏡表征,包括原位實驗研究其在不同外場下的分解機理,故而有必要探究如何去抑制分解、穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。研究者通過對連續(xù)的電子衍射圖譜分析發(fā)現(xiàn)當(dāng)電子束劑量為791 e ?-2時,MAPbI3就已經(jīng)完全分解成PbI2了。而在MAPbI3上下兩面都包覆上薄層的非晶碳后(~10 nm),由于較薄的非晶碳層可以作為擴散的障礙層,阻礙了離子的丟失,所以即使電子束劑量增加到7600 e ?-2,鈣鈦礦的特征衍射點(002)依舊可以被觀察到,說明包覆可以起到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)抑制分解的作用。研究者進一步通過SEM-EDS的定量分析和形貌演變說明了碳包覆抑制分解的作用。

圖3. 碳包覆對分解的抑制

成果2

有機無機雜化鈣鈦礦透射電鏡表征的虛與實

另外,研究者利用低電子束劑量成像技術(shù)系統(tǒng)地研究了不同實驗條件下雜化鈣鈦礦的結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定性,揭示了最優(yōu)的透射電鏡表征條件(Transmission electron microscopyof organic-inorganic hybrid perovskites: myths and truths, Science Bulletin2020 (in press), arXiv:2004.12262.)。他們利用透射電鏡低溫桿(Gatan636)將溫度降到?180 ℃,觀察到當(dāng)電子束劑量為150 e?-2時,鈣鈦礦就已經(jīng)發(fā)生了非晶化轉(zhuǎn)變。而在常溫和較高溫(90 ℃)的時候,均需要較大的電子束劑量(450–520 e ?-2)才能誘發(fā)MAPbI3到PbI2的轉(zhuǎn)變。這說明低溫并沒有阻礙鈣鈦礦的分解,反而會導(dǎo)致快速的非晶化轉(zhuǎn)變。

圖4. 溫度對MAPbI3電子束敏感性的影響

此外研究者還探究了電子束加速電壓以及鈣鈦礦的暴露晶面對其穩(wěn)定性的影響。他們發(fā)現(xiàn)較高的加速電壓有利于降低損傷,進而說明了有機無機雜化鈣鈦礦的損傷機理主要為電離損傷機制(radiolysis),而非碰撞損傷(knock-on)或加熱效應(yīng)(heating)。故而說明表征有機無機雜化鈣鈦礦時應(yīng)該用相對較高的電壓以降低損傷。此外他們還發(fā)現(xiàn)MAPbI3 (100)面比(001)面更穩(wěn)定,這可能是由于碘離子在(100)面的擴散勢壘高,難以擴散,從而表現(xiàn)得更加穩(wěn)定。此發(fā)現(xiàn)也可以對晶面調(diào)控工程給予指導(dǎo),例如合成(100)面暴露的鈣鈦礦有可能提高鈣鈦礦太陽能電池的穩(wěn)定性。

圖5. 加速電壓和暴露的晶面對MAPbI3電子束敏感性影響

基于這些發(fā)現(xiàn),他們借助于直接電子探測相機(K2),在電子束劑量為3.1e ?-2時,成功拍攝了MAPbI3原始的原子結(jié)構(gòu),其對應(yīng)的傅里葉變換圖譜可以和模擬的衍射圖譜吻合。而當(dāng)電子束劑量增加為 6.2 e ?-2,對應(yīng)的傅里葉變換圖譜中就出現(xiàn)了微弱的超結(jié)構(gòu)衍射點;當(dāng)劑量進一步增加到24.9 e ?-2,超結(jié)構(gòu)衍射點變得較為明顯。這些發(fā)現(xiàn)進一步表明了雜化鈣鈦礦對電子束的敏感性,只有較窄的窗口才能實現(xiàn)無損表征。

圖6. MAPbI3和超結(jié)構(gòu)相的原子結(jié)構(gòu)

總結(jié)與展望

在以往的大量研究中,有機無機雜化鈣鈦礦的透射電鏡表征是在較高電子束劑量下進行的,它們對電子束的高度敏感性容易被忽略。因此,即使對于相對劑量較低的衍射模式成像,得到的實驗數(shù)據(jù)與理論也存在差異??紤]到HRTEM、STEM、EELS和EDS下的劑量通常比電子衍射成像高得多,故而預(yù)計會產(chǎn)生更嚴(yán)重的損傷。對于這些損傷,有利的一面是幫助我們理解這些材料的失效機理,也為理解實際器件的失效機制提供了一些有益的啟示。另一方面,還可以在顯微鏡中探究通過包覆等策略抑制其分解的機制,進而為器件設(shè)計提供有益參考。值得注意的是,雖然關(guān)于失效機制已經(jīng)有一些原位TEM研究報道,但考慮到他們使用的電子束劑量較高,因而電子束誘導(dǎo)的損傷可能對實驗現(xiàn)象造成了較大得影響。(透射電子顯微鏡)

若有檢測需求可撥打咨詢熱線或點擊在線咨詢,將會有工程師為您詳細(xì)解答,歡迎您的來電!

鑠思百檢測動態(tài)

電鏡檢測,電鏡制樣,光譜檢測,熱譜檢測,核磁順磁波普測試,質(zhì)譜檢測,色譜檢測,表介面物性分析,其他測試等等

更多測試請咨詢在線客服

測試流程

1、客戶提出測試要求(在線預(yù)約

2、細(xì)節(jié)溝通(聯(lián)系在線QQ

3、下載填寫測試委托單

4、測試委托單和樣品郵寄

5、聯(lián)系客服付款

6、安心等待

7、接受數(shù)據(jù)

8、后期服務(wù)

以上是對于測試的相關(guān)介紹,如有其它檢測需求可以咨詢實驗室工程師,為您一對一服務(wù)。

溫馨提示

1、不定期推出各種優(yōu)惠活動,詳情咨詢客服。

2、測試前聯(lián)系在線客服確認(rèn)測試條件、檢測費用、檢測周期等。

檢測咨詢熱線:15071040697   黃工  QQ:82187958

公司網(wǎng)站:m.gzbj666.cn

武漢鑠思百檢測技術(shù)有限公司


在線客服
 
 
 工作時間
周一至周六 :8:00-18:00
 聯(lián)系方式
客服-黃工:150 7104 0697
客服-劉工:18120219335
浮梁县| 德钦县| 栾城县| 手游| 井陉县| 临海市| 古丈县| 峨眉山市| 通州市| 巩义市| 互助| 旬邑县| 抚松县| 江西省| 禹州市| 澄城县| 天水市| 镇江市| 怀宁县| 淮安市| 凤城市| 呼和浩特市| 横峰县| 伊春市| 新巴尔虎右旗| 沁阳市| 潜江市| 上栗县| 郎溪县| 固镇县| 太谷县| 新宾| 安康市| 屏东市| 蓬安县| 武陟县| 肇源县| 城固县| 大新县| 德惠市| 蒙自县|