儀器型號(hào):Belsorp-max 美國(guó)麥克ASAP2020HD88
檢測(cè)項(xiàng)目:比表面積、微孔孔徑分布(0.5-2 nm)、介孔分布(2-50 nm)、全孔孔徑分布(0.5-50 nm)"/>

鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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哪里可以測(cè)試BET(全自動(dòng)比表面及孔隙度分析儀BET)

 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2020-08-07 09:08作者:鑠思百檢測(cè)來源:鑠思百檢測(cè)

比表面和孔徑分析測(cè)試(BET).jpg

哪里可以測(cè)試BET(全自動(dòng)比表面及孔隙度分析儀BET)


儀器名稱:

全自動(dòng)多站比表面、微孔和介孔孔隙分析儀(BET)


儀器型號(hào):

Belsorp-max   美國(guó)麥克ASAP2020HD88


檢測(cè)項(xiàng)目:

比表面積、微孔孔徑分布(0.5-2 nm)、介孔分布(2-50 nm)、全孔孔徑分布(0.5-50 nm)


設(shè)備性能:

1.超低壓力測(cè)定:標(biāo)配分子渦輪泵和高精度壓力傳感器(一個(gè)13.3Pa/0.1Torr,兩個(gè)1,33kPa/10Torr,五個(gè)133kPa/1000Torr)

2.采用高氣密性的氣動(dòng)閥控制,較傳統(tǒng)的電磁閥,同樣時(shí)間內(nèi)保持真空度高出3個(gè)數(shù)量級(jí)。

3.多樣品測(cè)量:可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)站的微孔孔隙測(cè)定,2個(gè)站的Kr同時(shí)測(cè)定低比表面,3個(gè)站的介孔孔隙和比表面積同時(shí)測(cè)定,多種模式能有效地縮短分析時(shí)間。BELSORP Max最早開發(fā)了雙站同時(shí)測(cè)定微孔功能,結(jié)合兩個(gè)0.1Torr傳感器確保得到P/P0為10-9的起始?jí)毫c(diǎn)。

4.測(cè)試全程采用更精確的ASFM自由體積校正,無需使用液位恒定裝置。


應(yīng)用范圍:

催化劑:廣泛用于石化、化工、醫(yī)藥、食品、農(nóng)業(yè)、精細(xì)化工等領(lǐng)域;

吸附劑:如活性炭、分子篩、活性氧化鋁等,廣泛用于環(huán)保領(lǐng)域;

陶瓷材料原料:氧化鋁、氧化鋯、氧化釔、氮化硅、碳化硅等;

新型電池材料:如鈷酸鋰、錳酸鋰、石墨等電極材料;

磁性粉末材料:如四氧化三鐵、鐵氧體等;

納米粉體材料:包括納米陶瓷材料、納米金屬材料,納米銀粉、鐵粉、銅粉、鎢粉、鎳粉等其他,如超細(xì)纖維、多孔織物、復(fù)合材料、沉積物、懸浮物等


制樣要求:

樣品>500mg,固體,無污染,無毒, 無烈性,具有多孔性

微孔>200mg 介孔>500mg。

送樣注明脫氣時(shí)間,脫氣溫度。


備注:

PS:送樣請(qǐng)附帶“委托測(cè)試單”。


測(cè)試提示

1.可開正規(guī)測(cè)試發(fā)票,附帶測(cè)試清單。

2.有腐蝕性,毒性,或其他有危害性等特殊樣品要事先告知測(cè)試人員,測(cè)試人員也要告知樣品方哪些樣品不能測(cè)或會(huì)對(duì)儀器產(chǎn)生損傷,測(cè)試后會(huì)對(duì)樣品產(chǎn)生哪些變化;

3.客戶需提供詳細(xì)的樣品資料,包括元素,主要成分和詳細(xì)測(cè)試參數(shù)及條件。和測(cè)試人員充分討論,商定最終測(cè)試條件;

4.測(cè)試人員與顧客通過QQ或郵件溝通,出現(xiàn)測(cè)試糾紛,郵件或聊天記錄將作為重要的仲裁依據(jù);請(qǐng)加QQ和技術(shù)人員交流:82187958。

5.杜絕測(cè)試、解析和合成違反國(guó)家相關(guān)法律法規(guī)的樣品,一經(jīng)發(fā)現(xiàn)將追究其法律責(zé)任。



常見問題及回答:

曲線不閉合的原因主要有哪些?

a.一個(gè)是設(shè)備問題,有可能是漏氣了。儀器真空系統(tǒng)不保壓造成。這樣很容易造成吸附為負(fù),以及造成后續(xù)的吸脫附曲線不閉合。 b. 一個(gè)是稱樣量問題,稱樣量太少,容易造成測(cè)量不準(zhǔn),曲線不閉合。 c. 樣品前處理問題,可能是材料中的雜質(zhì)在脫氣過程中沒有充分除去。 d.樣品本身比表面積較?。?/span>

樣品的比表面積為什么較???

跟樣品本身的孔型有關(guān)系;主要參看孔徑分布圖,以下類型比表面積較小:a. 本身沒有孔,無孔材料,無吸附,自然測(cè)不到較大比表面積;b. 材料主要的孔徑分布為大孔,不含微孔和介孔。一般而言微孔較多的材料比表面積相對(duì)大,介孔次之,大孔比表面積較??;

不同孔徑結(jié)構(gòu)分別用哪些模型來表示孔徑分布?

微孔孔徑分布可看HK中的孔徑分布數(shù)據(jù); 介孔孔徑分布看BJH中的孔徑分布數(shù)據(jù); 全孔孔徑分布看NLDFT或DFT中的孔徑分布數(shù)據(jù);

為什么要對(duì)樣品進(jìn)行脫氣處理?

目的是除去樣品表面吸附的雜質(zhì),如水、油等,一般是將樣品在真空下加熱處理。

如何選擇脫氣溫度?

首要原則是不破壞樣品結(jié)構(gòu)。一般脫氣溫度不能高于固體熔點(diǎn)或玻璃的相變點(diǎn),建議不要超過熔點(diǎn)溫度的一半。我們測(cè)試儀器可選溫度范圍一般是室溫-300℃。 考慮到脫氣溫度過高會(huì)導(dǎo)致樣品結(jié)構(gòu)的不可逆變化,脫氣溫度過低又可能使脫氣處理不完全導(dǎo)致結(jié)果偏小,所以在不破壞樣品結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上脫氣溫度可適當(dāng)提高,同時(shí)也可以參考化學(xué)手冊(cè)(如 the Handbook of Chemistry and Physics)以及各標(biāo)準(zhǔn)組織發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)方法(如ASTM)。

如何選擇脫氣時(shí)間?

脫氣時(shí)間確定與脫氣溫度、樣品孔道復(fù)雜程度有關(guān)??椎涝綇?fù)雜,孔道里的雜質(zhì)越難出來,需要脫氣時(shí)間就越長(zhǎng);脫氣溫度低,分子擴(kuò)散速度慢,脫氣時(shí)間也需要延長(zhǎng);一般樣品的脫氣時(shí)間可設(shè)置不少于6h,對(duì)一些含有復(fù)雜微孔樣品其脫氣時(shí)間則需要更長(zhǎng)。但也有特例,美國(guó)藥典規(guī)定硬脂酸鎂脫氣時(shí)間僅為2h。 注:由于脫氣溫度,脫氣時(shí)間以及脫氣真空度都與比表面積值有關(guān),因此BET結(jié)果存在誤差是不可避免的,所以測(cè)樣需要固定處理?xiàng)l件來進(jìn)行比較。

樣品的比表面積,是否和樣品測(cè)試量有關(guān);樣品用量過少會(huì)造成哪些影響?

樣品的比表面積只與樣品本身有關(guān),實(shí)際上測(cè)試量多少并不會(huì)改變比表面積的大小;樣品量過少,主要是會(huì)造成吸附曲線難以閉合;此外吸附量低,誤差大,得不到準(zhǔn)確的比表面積;

為什么外比表面積會(huì)為負(fù)數(shù)?

由于本身比表面積小,沒有吸附就會(huì)出現(xiàn)儀器誤差的現(xiàn)象, 吸附曲線亂串,也可能跑到負(fù)值出現(xiàn)吸附點(diǎn)。

測(cè)試案例:

以上是全自動(dòng)比表面及孔隙度分析儀BET測(cè)試的相關(guān)介紹,更多測(cè)試請(qǐng)聯(lián)系鑠思百檢測(cè)工程師!

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