鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計原子熒光光度計(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動態(tài)熱機械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費休水分測定儀自動電位滴定儀電化學(xué)儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計有機鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機元素分析儀(EA)粘度計振動樣品磁強計(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機時同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實密度正極材料-振實密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測定負(fù)極材料-有機物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
設(shè)為首頁 | 收藏本站

XPS分峰教程

 二維碼
發(fā)表時間:2020-08-21 09:04作者:鑠思百檢測來源:鑠思百檢測

很多同學(xué)開始做XPS測試的時候,不知道如何進(jìn)行XPS分峰,現(xiàn)在鑠思百小編為大家整理了XPS分峰的教程?!?/span>

1.XPS Peak41中導(dǎo)入數(shù)據(jù)

  打開xps peak 41分峰軟件,在XPS Peak Fit窗口中,從Data菜單中選擇Import (ASCII),即可將轉(zhuǎn)換好的txt文本導(dǎo)入,出現(xiàn)譜線


  2.扣背底

  在打開的Region 1窗口中,點擊 Backgrond,選擇Boundary的默認(rèn)值,即不改變High BE和Low BE的位置,Type一般選擇Shirley類型扣背底


  3.加峰

  選擇Add Peak,選擇合適的Peak Type(如s,p,d,f),在Position處選擇希望的峰位,需固定時點fix前的小方框,同時還可選半峰寬(FWHM)、峰面積等。各項中的constaints可用來固定此峰與另一峰的關(guān)系。如W4f中同一價態(tài)的W4f7/2和W4f5/2的峰位間距可固定為2.15eV,峰面積比可固定為4:3等,對于% Lorentzian-Gaussian選項中的fix先去掉對勾,點擊Accept完成對該峰的設(shè)置。點Delete Peak可去掉此峰。再選擇Add Peak可以增加新的峰,如此重復(fù)。注意:% Lorentzian-Gaussian值最后固定為20%左右。


  加峰界面


  舉例:對峰的限制constraints,峰1的峰位=峰0峰位+1.5

  4.擬合

  選好所需擬合峰的個數(shù)及大致參數(shù)后,點XPS Peak Processing中的Optimise All進(jìn)行擬合,觀察擬合后總峰與原始峰的重合情況,如不好,可多次點Optimise All


  合適圖譜

  5.參數(shù)查看

  擬合完成后,分別點XPS Peak Processing窗口總的Region Peaks下方的0、1、2等,可查看每個峰的參數(shù),此時XPS峰中變紅的曲線為被選中的峰。如對擬合結(jié)果不滿意,可改變這些峰的參數(shù),然后再點擊Optimise All

  6.XPS存圖

  點Save XPS可將譜圖存為.xps格式的圖,下回要打開時點Open XPS可以打開這副圖,并可對圖進(jìn)行編輯

  7.XPS圖的數(shù)據(jù)輸出

  a.點擊Data中的Export(spetrum),可將擬合好的數(shù)據(jù)存為.dat格式的ASCII文件(該文件可用記事本打開),然后再Origin中導(dǎo)入該ASCII文件,可得到一個包含多列的數(shù)據(jù)表,這里需要注意的是每列的抬頭名稱出錯(如.dat文件中的Raw Intensity分開到兩列中作為兩列的抬頭,即Raw、Intensity),這時需要根據(jù)做出的圖與.xps原始譜圖比較,更改每列的名稱,即可得到正確的譜圖

  b.點擊Data中的Export(Peak Parameters),即將各峰參數(shù)導(dǎo)出為.par格式的文件(也可用記事本打開),通過峰面積可計算某元素在不同峰位的化學(xué)態(tài)的含量比

  c.點擊Data中的Export to clipboard,即將圖和數(shù)據(jù)都復(fù)制到剪貼板上,打開文檔(如Word),點粘貼,即把圖和數(shù)據(jù)粘貼過去,不過該圖很不清晰

  d.點擊Data中的Print with peak parameters,即可打印帶各峰參數(shù)的譜圖。

  二、峰擬合中的一些基本原則及參考資料:

  1.元素結(jié)合能數(shù)據(jù)可參考http://srdata.nist.gov/xps/selEnergyType.aspx

  2.譜峰的曲線擬合應(yīng)考慮:合理的化學(xué)與物理意義;合理的半高寬(一般不大于2.7eV,氧化物的半高寬應(yīng)大于單質(zhì)的半高寬);合理的L/G比(XPS Peak 41分峰軟件中的% Lorentzian-Gaussian)為20%左右;對雙峰還應(yīng)考慮兩個峰的合理間距、強度比等(詳見下面的3,4項)。

  3.對于p、d、f等能級的次能級(如p3/2、p1/2,光電子能譜中一般省略/2,即為p3、p1)強度比是一定的,p3:p1=2:1;d5:d3=3:2,f7:f5=4:3。在峰擬合過程中要遵循該規(guī)則。如W4f中同一價態(tài)的W4f7和W4f5峰面積比應(yīng)為4:3。

  4.對于有能級分裂的能級(p、d、f),分裂的兩個軌道間的距離(doublet seperation)也基本上是固定的,如同一價態(tài)的W4f7和W4f5之間的距離為2.15eV左右,Si2p3和Si2p1差值為1.1eV左右。各元素能級分裂數(shù)據(jù)可參考網(wǎng)上數(shù)據(jù)庫http://srdata.nist.gov/xps/selEnergyType.aspx中 選擇Doublet Seperation項

  5.全譜掃描((即Survey)中各峰對應(yīng)的元素能級參考附件BE Lookup Table

  6.各元素不同化學(xué)狀態(tài)結(jié)合能可參考附件《各元素化學(xué)狀態(tài)表.pdf》,文件掃描自Phi公司出版的手冊中的附錄2,Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy—A Reference Book of Standard Spectra for Identification and Interpretation of XPS Data,John F. Moulder, William F. Stickle, Peter E. Sobol, Kenneth D. Bomben, Physical Electronics, Inc. ,1992

  7.有機聚合物中的C、O、N、F等的化學(xué)位移值可參考附件《有機聚合中C、O、N、F等的化學(xué)位移(chemical shift)值.pdf》,文件掃描自John Willey & Sons出版的有機聚合物高分辨XPS譜圖中的附錄,High Resolution XPS of Organic Polymers-The Scienta ESCA300 Database, G. Beamson, D. Briggs,John Wiley &Sons, 1992

  測試條件:

  儀器名稱:X-射線光電子能譜儀(X-ray Photoelectron Spectroscopy/ESCA)      型號:ESCALAB 250

  生產(chǎn)廠家:Thermo Fisher Scientific

  分析室工作時的真空度:~2×10-9 mbar(打開X射線源的情況下)

  使用X光源: 單色化的Al Kα源(Mono AlKα )   能量:1486.6eV, 15kV 150W,

  束斑大小:500 μm;   掃描模式:CAE;透鏡模式:Large Area XL

  定性、定量分析采用Wagner (Al靶) Library

  全譜掃描:通能為70eV;窄譜掃描:通能為20 eV

  荷電校正:以表面污染C1s(284.8eV)為標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行能量校正


以上是關(guān)于XPS分峰教程的相關(guān)介紹,更多測試需求請聯(lián)系鑠思百檢測工程師。

文章分類: 測試儀器
分享到:
在線客服
 
 
 工作時間
周一至周六 :8:00-18:00
 聯(lián)系方式
客服-黃工:150 7104 0697
客服-劉工:18120219335
年辖:市辖区| 丰都县| 高平市| 海伦市| 望城县| 嘉兴市| 英超| 汉中市| 毕节市| 始兴县| 杨浦区| 和硕县| 界首市| 中方县| 五大连池市| 灯塔市| 通辽市| 开江县| 汤原县| 定襄县| 平阴县| 米泉市| 健康| 公主岭市| 贵港市| 冀州市| 九江市| 龙山县| 安乡县| 板桥市| 蛟河市| 屯昌县| 会理县| 英超| 岫岩| 盐池县| 和顺县| 凤阳县| 平度市| 淮安市| 永新县|