GBT 31472-2015 X 光電子能譜中荷電控制和荷電基準(zhǔn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南

GBT 31472-2015 X 光電子能譜中荷電控制和荷電基準(zhǔn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)指南

X射線光電子能譜用于固體材料表面元素組成和元素化合態(tài)的測(cè)試與表征，通過(guò)某一元素結(jié)合能的細(xì)微變化可獲得該元素化合態(tài)信息。對(duì)于絕緣樣品表面，X光激發(fā)的光電子發(fā)射會(huì)導(dǎo)致表面正電荷積累，改變表面電勢(shì)，因此使測(cè)得的光電子譜峰位向高結(jié)合能偏移。表面感生電荷的數(shù)量、在樣品表面的分布及其與試驗(yàn)條件的依賴關(guān)系決定于許多因素，包括樣品成分、樣品的均勻性、表面電導(dǎo)率、總光致電離截面、表面形貌、激發(fā)X光的特殊空間分布、中和電子等。荷電積累是發(fā)生在樣品表面和材料內(nèi)部的三維現(xiàn)象。本標(biāo)準(zhǔn)描述了各種已經(jīng)或即將用于采集和解析絕緣樣品表面的X射線光電子能譜數(shù)據(jù)的荷電控制與針對(duì)荷電偏移的校正方法，目的是通過(guò)控制荷電積累，校正由于表面充電引起的結(jié)合能飄移，以得到有意義且可重現(xiàn)的絕緣樣品的測(cè)試數(shù)據(jù)。

范圍：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了X射線光電子能譜（XPS）的荷電控制和荷電基準(zhǔn)技術(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)適用于XPS荷電控制和荷電定位技術(shù)，不適用于其他電子激發(fā)系統(tǒng)。

發(fā)布時(shí)間：2015-05-15   實(shí)施時(shí)間：2016-01-01

頒發(fā)部門(mén)：國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

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