鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計原子熒光光度計(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動態(tài)熱機械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導率儀電化學工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費休水分測定儀自動電位滴定儀電化學儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計有機鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機元素分析儀(EA)粘度計振動樣品磁強計(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機時同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術-紅外測試分析二維紅外光譜技術紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細結(jié)構普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學結(jié)構分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構確證技術-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(HER)費米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標理化-其它非標理化項目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學-常規(guī)指標糖化學液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負極顆粒粒徑分析負極極片孔洞分析負極顆粒包覆層觀察負極顆粒羥基含量測定負極極片包覆層觀察負極表面SEI膜分析XPS法負極極片SEI膜成分分析與厚度測定負極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學成分正極材料-晶體結(jié)構正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構正極材料-壓實密度正極材料-振實密度電池產(chǎn)品-正極材料負極材料-PH值負極材料-比表面積負極材料-層間距 石墨化度負極材料成分分析負極材料-磁性異物負極材料-粉末壓實密度負極材料-固定碳含量負極材料-化學成分負極材料-粒徑分布負極材料-石墨鑒定負極材料-水分負極材料-限用物質(zhì)含量負極材料-形貌與結(jié)構負極材料-陰離子的測定負極材料-有機物含量負極材料-真密度負極材料-振實密度負極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負極材料電解液-電導率電解液-化學元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
設為首頁 | 收藏本站

透射電鏡電子衍射花樣的標定與分析

 二維碼
發(fā)表時間:2022-07-22 14:23作者:鑠思百檢測

透射電鏡電子衍射花樣的標定與分析

單晶電子衍射譜實際上是倒空間中的一個零層倒易面,對它標定時,只考慮相機常數(shù)已知的情況。因為對于現(xiàn)在的電鏡,相機長度可以直接從電鏡和底片上讀出來,雖然這個值與實際上會有差別,但這個差別不大。之所以要在多晶衍射時考慮相機常數(shù)未知的情況,是因為我們經(jīng)常要用已知的粉末多晶樣品(如金)去校正相機常數(shù)。相機常數(shù)未知時,單晶電子衍射花樣標定后可能不好驗算,因此除非是已知的相,否則標定非常容易出錯。

A、晶體結(jié)構已知的單晶電子衍射花樣的標定

1.標準花樣對照法

這種方法只適用于簡單立方、面心立方、體心立方和密排六方的低指數(shù)晶帶軸。因為這些晶系的低指數(shù)晶帶的標準花樣可以在有的書上查到,如果得到的衍射花樣跟標準花樣完全一致,則基本上可以確定該花樣。不過需要注意的是,通過標準花樣對照法標定的花樣,標定完了以后,一定要驗算它的相機常數(shù),因為標準花樣給出的只是花樣的比例關系,而對于有的物相,某些較高指數(shù)花樣在形狀上與某些低指數(shù)花樣十分相似,但是由兩者算出來的相機常數(shù)會相差很遠。所以即使知道該晶體的結(jié)構,在對比時仍然要小心。

2.嘗試-校核法

a)量出透射斑到各衍射斑的矢徑的長度,利用相機常數(shù)算出與各衍射斑對應的晶面間距,確定其可能的晶面指數(shù);

b)首先確定矢徑最小的衍射斑的晶面指數(shù),然后用嘗試的辦法選擇矢徑次小的衍射斑的晶面指數(shù),兩個晶面之間夾角應該自??;

c)然后用兩個矢徑相加減,得到其它衍射斑的晶面指數(shù),看它們的晶面間距和彼此之間的夾角是否自恰,如果不能自恰,則改變第二個矢徑的晶面指數(shù),直到它們?nèi)孔郧橹梗?/p>

d)由衍射花樣中任意兩個不共線的晶面叉乘,即可得出衍射花樣的晶帶軸指數(shù)。

嘗試-校核法應該注意的問題

對于立方晶系、四方晶系和正交晶系來說,它們的晶面間距可以用其指數(shù)的平方來表示,因此對于間距一定的晶面來說,其指數(shù)的正負號可以隨意。但是在標定時,只有第一個矢徑是可以隨意取值的,從第二個開始,就要考慮它們之間角度的自??;同時還要考慮它們的矢量相加減以后,得到的晶面指數(shù)也要與其晶面間距自恰,同時角度也要保證自恰。

另外晶系的對稱性越高,h,k,l之間互換而不會改變面間距的機會越大,選擇的范圍就會更大,標定時就應該更加小心。

3.查表法(比值法)-1

a)選擇一個由斑點構成的平行四邊形,要求這個平行四邊形是由最短的兩個鄰邊組成,測量透射斑到衍射斑的最小矢徑和次小矢徑的長度和兩個矢徑之間的夾角r1, r2,θ;

b)根據(jù)矢徑長度的比值r2/r1 和θ角查表,在與此物相對應的表格中查找與其匹配的晶帶花樣;

c)按表上的結(jié)果標定電子衍射花樣,算出與衍射斑點對應的晶面的面間距,將其與矢徑的長度相乘看它等不等于相機常數(shù)(這一步非常重要);

d)由衍射花樣中任意兩個不共線的晶面叉乘,驗算晶帶軸是否正確。

3.查表法(比值法)-2

a)測量透射斑到衍射斑的最小、次小和第三小矢徑的長度r1, r2, r3;

b)根據(jù)矢徑長度的比值r2/r1 和r3/r1查表,在與此物相對應的表格中查找與其匹配的晶帶花樣;

c)按表上的結(jié)果標定電子衍射花樣,算出與衍射斑點對應的晶面的面間距,將其與矢徑的長度相乘看它等不等于相機常數(shù)(這一步非常重要);

d)由衍射花樣中任意兩個不共線的晶面叉乘,驗算晶帶軸是否正確。

之所以有兩種不同的查表法,是因為有兩種不同的表格,它們的查詢方法和原理基本上是一致的。

查表法應該注意的問題:

首先查表法標定完了以后一定要用相機常數(shù)來驗算,因為即使物相是已知的,同一種物相中也會有形狀基本一樣的花樣,但它們不可能是由相同的晶面構成,因而算出來的相機常數(shù)也不可能相同;

由兩個矢徑和一個夾角來查表時,有的表總是取銳角,這樣有好處,但查表時要注意你的花樣也許和表上的晶帶軸反號,所以標定完了之后,一定要用不共線的兩矢量叉乘來驗算;如果夾角不是只取銳角,一般不存在這個問題;

如果從衍射花樣上得到的值在表上查不到,則要注意與你的夾角互補的結(jié)果,因為晶帶軸的正反向在表中往往只有一個值。

超點陣花樣

當晶體是由兩種或者兩種以上的原子或者離子構成時,對于晶體中的任何一種原子或者離子,如果它能夠隨機地占據(jù)點陣中的任何一個陣點,則我們稱該晶體是無序的;如果晶體中不同的原子或者離子只能占據(jù)特定的陣點,則該晶體是有序的。

晶體從無序相向有序相轉(zhuǎn)變以后,在產(chǎn)生有序的方向會出現(xiàn)平移周期的加倍,從而引起平移群的改變。由此引發(fā)的最顯著的特點是在某些方向出現(xiàn)與平移對稱對應的超點陣斑點。

上圖即是CuAu3無序和有序的模型和對應的電子衍射花樣。其中圖a是CuAu3無序時的晶體結(jié)構模型,而圖b是有序時的晶體結(jié)構模型;圖c是與無序?qū)碾娮友苌浠樱鴪Dd則是與有序?qū)某c陣電子衍射花樣。

上圖是CsCl無序和有序的模型和對應的電子衍射花樣。其中圖a是CsCl無序時的晶體結(jié)構模型,而圖b是有序時的晶體結(jié)構模型;圖c是與無序?qū)碾娮友苌浠邮疽鈭D,而圖d則是與有序?qū)某c陣電子衍射花樣示意圖。

上圖是超點陣花樣的一些實例,這些花樣是從一種沿[111]方向具有六倍周期的復雜有序鈣鈦礦相中得到的。圖a是沿[010]方向2倍周期有序的超點陣電子衍射花樣,圖b是沿[101]方向2倍周期有序的超點陣電子衍射花樣,圖c是沿[11-1]方向2倍周期有序的超點陣電子衍射花樣,而圖d則是沿[111]方向6倍周期有序的電子衍射花樣。

孿晶電子衍射花樣

所謂孿晶,通常指按一定取向關系并排生長在一起的同一物質(zhì)的兩個晶粒。從晶體學上講,可以把孿晶晶體的一部分看成另一部分以某一低指數(shù)晶面為對稱面的鏡像;或以某一低指數(shù)晶向為旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)一定的角度。

孿晶的分類:

1、按晶體學特點:反映孿晶和旋轉(zhuǎn)孿晶;

2、按形成方式:生長孿晶和形變孿晶;

3、按孿晶形態(tài):二次孿晶和高次孿晶。

上圖中圖a和b是CaMgSi相中的(102)孿晶在不同位向下的孿晶花樣,圖c是CaMgSi相中另外一種孿晶的電子衍射花樣,其孿晶面是(011)面;圖d是鎂中常見的(10-12)孿晶花樣。

二次衍射

在電子束穿行晶體的過程中,會產(chǎn)生較強的衍射束,它又可以作為入射束,在晶體中產(chǎn)生再次衍射,稱為二次衍射。二次衍射形成的新的附加斑點稱作二次衍射斑。二次衍射很強時,還可以再行衍射,產(chǎn)生多次衍射。

產(chǎn)生二次衍射的條件:

1、晶體足夠厚;

2、衍射束要有足夠的強度。

上圖是二次衍射中出現(xiàn)多余衍射斑點的兩種不同,其中圖a是在鎂鈣合金中得到的的電子衍射花樣,圖中本來只存在兩套花樣,分別是鎂的[-1100]晶帶軸電子衍射花樣和Mg2Ca相的[3-302]晶帶軸花樣。而花樣中出現(xiàn)的很多衛(wèi)星斑是由于二次衍射,通過Mg2Ca相的(1-103)斑點與Mg的(000-2)斑點之間存在的差矢平移造成的。圖b和圖c是一種有序鈣鈦礦相中沿[010]p方向得到的電子衍射花樣,其中圖b是在較厚的地方得到,而圖c則是在很薄的地方得到。在較薄的地方,由于不存在動力學效應,可以清楚地看到花樣中存在相當多消光的斑點,但在較厚的地方,由于動力學效應,出現(xiàn)二次衍射的矢量平移,使得本來應該消光的斑點變得看起來不消光了。

典型的例子:硅的電子衍射花樣,圖中紅圈內(nèi)的衍射應該是系統(tǒng)消光的。但(200)可以是(111)衍射電子再發(fā)生(1-1-1)衍射的總的效果。這一現(xiàn)象被稱為二次衍射或動力學衍射。同理,消光的(222)也可以由兩次(111)來產(chǎn)生。(200)也可以通過(111)+(111)+(0-2-2)來產(chǎn)生,只是這種多次衍射的幾率更低一些罷了。

內(nèi)容來源:材料基


在線客服
 
 
 工作時間
周一至周六 :8:00-18:00
 聯(lián)系方式
客服-黃工:150 7104 0697
客服-劉工:18120219335
莱芜市| 新野县| 福安市| 黑龙江省| 广饶县| 高淳县| 渭源县| 仁怀市| 莱芜市| 龙游县| 宜兰县| 通许县| 盱眙县| 永川市| 锡林郭勒盟| 卓资县| 凯里市| 深州市| 湘潭市| 阿拉尔市| 广西| 洪江市| 灵台县| 浦城县| 郴州市| 绿春县| 房产| 法库县| 进贤县| 沅江市| 札达县| 安新县| 五寨县| 崇明县| 瑞昌市| 新乡市| 山丹县| 邯郸市| 石柱| 贵南县| 边坝县|