項目簡介
相比TOF-SIMS，D-SIMS有更強的深度分析能力，分析深度能達(dá)到5-10um，且剖析過程中可以連續(xù)測試元素信息；深度分辨率和檢出限比TOF高很多，分析面積100,200,300um見方居多，面積越大濺射速率越慢。

一般沒有定量的D-SIMS的數(shù)據(jù)的縱坐標(biāo)是計數(shù)，是強度，不同離子的產(chǎn)額不同，產(chǎn)額高的譜峰強，并不代表含量高，簡單說就是強度和含量沒有什么直接關(guān)系；

部分樣品都可以定量分析（比如，常見的硅中各種摻雜 B, P,As等；各類化合物半導(dǎo)體及其多層結(jié)構(gòu)等），取決于是否有合適的標(biāo)準(zhǔn)樣品；

結(jié)果展示

有標(biāo)樣的：

摻雜深度剖析

樣品要求

長寬5-10mm，厚度不超過1mm，真空保存，標(biāo)記清楚測試面。

溫馨提示

1、不定期推出各種優(yōu)惠活動，詳情咨詢客服。

2、測試前聯(lián)系在線客服確認(rèn)測試條件、檢測費用、檢測周期等。

檢測咨詢熱線：15071040697    黃工QQ：82187958

公司網(wǎng)站：m.gzbj666.cn   武漢鑠思百檢測技術(shù)有限公司

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