答:如果是質(zhì)譜和二維成像,是一個位置,因?yàn)闆]有損傷,采集完正離子可以繼續(xù)采集負(fù)離子;如果是深度分析,需要換位置,分別測試正離子和負(fù)離子。"/>

鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

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TOF-SIMS常見測試問題(一)

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發(fā)表時間:2022-12-27 16:28作者:鑠思百檢測

1、樣品表面是不是需要基本平整?
答:最好平整;如果表面粗糙的話,高度差也盡量不要超過150μm。

2、電池鋰負(fù)極測試怎么處理?
答:手套箱里拆出來剪小,通過樣品傳送管制備樣品并對傳送樣品進(jìn)行保護(hù)。

3、離子后面帶的正或者負(fù),為什么都是正一價或負(fù)一價呢?
答:這個正或者負(fù)只是代表正離子或者負(fù)離子,與價態(tài)無關(guān)。

4、請問測試TOF-SIMS時,正負(fù)離子都需要測,那么需要幾個樣品呢?是在同一個樣品上選取不同的區(qū)域嗎?
答:如果是質(zhì)譜和二維成像,是一個位置,因?yàn)闆]有損傷,采集完正離子可以繼續(xù)采集負(fù)離子;如果是深度分析,需要換位置,分別測試正離子和負(fù)離子。

5、TOF-SIMS可以測離子含量嗎?
答:不能。TOF-SIMS靜態(tài)二次離子質(zhì)譜,測試離子強(qiáng)度,定性測試,不能定量。

6、TOF-SIMS中,質(zhì)譜測試濺射厚度為多少?
答:一般2到3層原子,小于1nm。

7、可以測試Si中參雜的O不?
答:可以。含量在ppt-ppb范圍內(nèi)用D-SIMS測試,含量在ppm范圍內(nèi)用TOF-SIMS測試。

8、同位素比對是什么原理?
答:TOF-SIMS分析可以表征元素的同位素,其不同同位素譜峰的峰強(qiáng)比與其在自然界中的豐度比是一致的。所以根據(jù)同位素質(zhì)量位置以及譜峰比例關(guān)系有助于我們對元素和成分進(jìn)行定性判定。

9、不銹鋼中C含量,SIMS和EDS測試準(zhǔn)確性有差別嗎?
答:EDS可以半定量,但EDS不適合原子序數(shù)低的元素定量;SIMS定量需要用標(biāo)樣定量法,常規(guī)測試得不到含量值.

10、對生物或植物組織,石蠟包埋切斷面會影響結(jié)果嗎?
答:可以測,但測之前最好用團(tuán)簇離子源剝離表面再測比較好。

11、二次離子像這么散是因?yàn)椴惶珜?dǎo)電么?
答:二次離子這么散不是因?yàn)閷?dǎo)電性,是跟樣品形貌有關(guān)。不導(dǎo)電樣品用TOF-SIMS分析可以采用導(dǎo)電雙面膠制樣、加MASK以及采用雙束中和的功能就可以對不導(dǎo)電樣品有比較好的分析能力。


12、Mask有正反么?
答:Mask主要作用是在制備樣品的時候遮擋樣品部分表面以及改善荷電效應(yīng),沒有正反面之分。


13、 質(zhì)譜測試正負(fù)離子模式是什么?測試的是同樣一個位置嗎?
TOF-SIMS是采用初級離子源(Bi源)入射樣品的表面激發(fā)出材料里的離子,通常給樣品加不同偏壓分別采集正離子或負(fù)離子,金屬離子主要在正離子模式產(chǎn)額比較高,而電負(fù)性元素如O\OH\F\Cl\S\N\Br等在負(fù)離子模式產(chǎn)額高,如果組分有金屬氧化物,比如NiO, 那一定會在正離子模式產(chǎn)生Ni原子離子,以及NixOy的分子離子,而負(fù)離子模式一定有O原子離子,同時也有NixOy的分子離子,當(dāng)然在正離子模式下大多數(shù)情況 x>y, 負(fù)離子模式下x<y,   這個案例中也有NiOH這樣的離子,說明有可能有氫氧化物存在。

文章分類: 科研設(shè)備
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