鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費(fèi)休水分測定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測定正極極片氧空位測定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
設(shè)為首頁 | 收藏本站

XPS深度剖析刻蝕

 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2023-09-06 10:53作者:鑠思百檢測

XPS深度剖析測試時(shí),隨著刻蝕深度增加,因樣品性狀、樣品表面粗糙度、中和等方面的差異,采集XPS數(shù)據(jù)譜圖的峰位通常都會(huì)有一定程度的偏移,如下圖所示


測試譜圖出現(xiàn)較大偏移會(huì)給元素化學(xué)態(tài)分析造成困擾。與此同時(shí),樣品在深度剖析測試中,表面污染碳會(huì)慢慢被刻蝕掉;隨著刻蝕時(shí)間增加,碳元素信號(hào)逐漸消失,如下圖所示:

深度剖析中,C元素信號(hào)逐漸消失

由于XPS刻蝕深度剖析是多層數(shù)據(jù)的疊加,當(dāng)測試譜圖出現(xiàn)偏移且不含碳元素時(shí),該怎么快速準(zhǔn)確的對深度剖析數(shù)據(jù)的校正呢?

在分析深度剖析數(shù)據(jù)時(shí),上述問題經(jīng)常會(huì)困擾各位小伙伴。如何解決呢?

首先我們要明確一點(diǎn):在對深度剖析數(shù)據(jù)進(jìn)行荷電校正時(shí),其實(shí)就是對測試譜圖進(jìn)行整體平移;目的是校正完后,使測試譜圖的峰位相對更準(zhǔn)確,有利于元素不同化學(xué)態(tài)分析。由于是譜圖整體平移處理,不會(huì)影響測試譜圖的峰形。所以,無論譜圖怎么整體平移,是不會(huì)影響樣品中元素及化學(xué)態(tài)含量隨刻蝕深度的變化情況的。

說人話就是,深度剖析測試得到元素及化學(xué)態(tài)含量隨著刻蝕深度變化信息,是不會(huì)隨荷電校正而發(fā)生變化!

下面來分兩種情形來應(yīng)對這個(gè)問題

深度剖析測試,我們目的通常是了解元素及化學(xué)態(tài)含量隨深度變化情況。

情形一:

如果你的需求是:在匯報(bào)或者文章中展示元素及化學(xué)態(tài)含量隨刻蝕時(shí)間變化圖就可以說明樣品情況,不用展示具體的測試譜圖。

那么,這個(gè)時(shí)候不用糾結(jié)校正深度剖析測試數(shù)據(jù)了,可以不用校正測試數(shù)據(jù)。因?yàn)樽V圖校不校正,是不會(huì)影響元素及化學(xué)態(tài)含量變化圖的。所以,不用校正數(shù)據(jù),直接分析深度數(shù)據(jù)即可。不用將簡單問題搞的那么復(fù)雜,還浪費(fèi)很多時(shí)間。

情形二:

如果你的需求是:在匯報(bào)或者文章中需要展示不同刻蝕時(shí)間的測試譜圖以說明樣品變化情況。為了使元素譜圖峰位更準(zhǔn)確,就需要校正測試譜圖了!

深度剖析測試時(shí),隨刻蝕時(shí)間增加,樣品表面污染碳會(huì)被逐漸刻蝕掉,碳元素信號(hào)消失,該如何校正測試譜圖呢?

XPS數(shù)據(jù)校正時(shí),由于樣品表面基本都會(huì)存在污染碳的原因,通常會(huì)選擇C元素作為內(nèi)標(biāo)來進(jìn)行校正;然而,校正時(shí)并不是一定要用C元素作為內(nèi)標(biāo)來校正,也可以選擇樣品中穩(wěn)定存在的成分(對應(yīng)結(jié)合能固定)來進(jìn)行校正。所以,當(dāng)深度剖析測試時(shí),樣品中C元素信號(hào)消失,選擇樣品中穩(wěn)定存在的成分作為內(nèi)標(biāo),即可完成數(shù)據(jù)校正。

比如,樣品在深度剖析過程中,C元素成分逐漸消失,樣品中含有SiO2成分,而且在刻蝕過程中SiO2成分一直存在。那么,此樣品深度剖析數(shù)據(jù)校正就可以選擇SiO2成分作為內(nèi)標(biāo)。通過查資料,得到Si元素SiO2成分化學(xué)態(tài)對應(yīng)結(jié)合能約為103.5ev。具體校正時(shí),以SiO2化學(xué)態(tài)103.5ev為基準(zhǔn),即可完成深度剖析數(shù)據(jù)校正。

那么,問題又來了,深度剖析得到的是多層數(shù)據(jù),我需要對每一層數(shù)據(jù)都進(jìn)行校正嗎?

這個(gè)就要看你的實(shí)際需要了!

下面根據(jù)需求,分兩個(gè)方面來介紹如何校正數(shù)據(jù)

①如果你的需求是:只需在報(bào)告或者文章中展示某幾個(gè)刻蝕時(shí)間的數(shù)據(jù),其它數(shù)據(jù)不需要展示。

這種情況下,就不用費(fèi)時(shí)間對每一層數(shù)據(jù)進(jìn)行校正了,只校正你需要的數(shù)據(jù)即可。你需要做的是,找老師要未校正的原始數(shù)據(jù),讓老師把原始數(shù)據(jù)都導(dǎo)出來(通常是Excel數(shù)據(jù))。拿到數(shù)據(jù)后,挑出你需要的數(shù)據(jù)進(jìn)行校正即可。

②如果你的需求是:需要對測試的所有數(shù)據(jù)都進(jìn)行校正

這種情況下,沒得選擇,只能對所有的數(shù)據(jù)都校正了。下面介紹兩個(gè)方法,一個(gè)方法做起來效率低,一個(gè)方法會(huì)效率高。各位小伙伴可根據(jù)自身情況進(jìn)行選擇。

方法一:如果你對一些XPS數(shù)據(jù)分析軟件用的不熟練,不會(huì)用;拿到測試原始數(shù)據(jù),可以逐層逐層校正深度剖析數(shù)據(jù)。這個(gè)方法效率較低。

具體做法就是:讓老師把樣品測試原始數(shù)據(jù)都導(dǎo)出來,拿到數(shù)據(jù)后,將每層不同元素?cái)?shù)據(jù)作圖,然后逐層逐層校正數(shù)據(jù)即可。

方法二:如果你會(huì)用一些XPS數(shù)據(jù)分析軟件,可通過XPS數(shù)據(jù)分析軟件直接校正數(shù)據(jù),這個(gè)效率會(huì)高不少。

下面通過一款常用的XPS數(shù)據(jù)分析軟件Avantage來展示如何快速一鍵校正多層深度剖析數(shù)據(jù)。如下視頻所示:


00:00 / 02:48
02:48


來源:知乎|研之有術(shù)

在線客服
 
 
 工作時(shí)間
周一至周六 :8:00-18:00
 聯(lián)系方式
客服-黃工:150 7104 0697
客服-劉工:18120219335
文成县| 彰武县| 尼玛县| 理塘县| 托克托县| 蒙山县| 商南县| 盐山县| 靖江市| 沙洋县| 玉溪市| 天水市| 阳城县| 镇赉县| 嵊泗县| 浦县| 隆安县| 贵定县| 得荣县| 绥江县| 双流县| 堆龙德庆县| 沂水县| 颍上县| 凌源市| 故城县| 宽城| 班玛县| 仁寿县| 确山县| 铁岭县| 大港区| 澄江县| 孝感市| 凉城县| 鄯善县| 内江市| 桐城市| 沙湾县| 桑植县| 龙井市|