橢偏儀的測量精度由哪些因素決定

橢偏儀的測量精度由哪些因素決定？今天鑠思百檢測小編帶大家詳細(xì)了解一下吧~首先我們先簡單了解一下橢偏儀。

橢偏儀概述橢偏儀是一種用于探測薄膜厚度、光學(xué)常數(shù)以及材料微結(jié)構(gòu)的光學(xué)測量設(shè)備。由于并不與樣品接觸，對樣品沒有破壞且不需要真空，使得橢偏儀成為一種極具吸引力的測量設(shè)備。橢偏儀可測的材料包括：半導(dǎo)體、電介質(zhì)、聚合物、有機物、金屬、多層膜物質(zhì)。橢偏儀涉及領(lǐng)域有：半導(dǎo)體、通訊、數(shù)據(jù)存儲、光學(xué)鍍膜、平板顯示器、科研、生物、醫(yī)藥等。

橢偏法測量優(yōu)點：

(1)能測量很薄的膜(1nm)，且精度很高，比干涉法高1~2個數(shù)量級。

(2)是一種無損測量，不必特別制備樣品，也不損壞樣品，比其他精密方法如稱重法、定量化學(xué)分析法簡便。

(3)可同時測量膜的厚度、折射率以及吸收率。因此可以作為分析工具使用。

(4)對一些表面結(jié)構(gòu)、表面過程和表面反應(yīng)相當(dāng)敏感，是研究表面物理的一種方法。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，為了監(jiān)測硅片表面薄膜生長/蝕刻的工藝，需要對其尺寸進行量測。一般量測的對象分為兩種：3D結(jié)構(gòu)與1D結(jié)構(gòu)。3D結(jié)構(gòu)是最接近于真實Device的結(jié)構(gòu)，其量測出來的結(jié)果與電性關(guān)聯(lián)度最大。3D結(jié)構(gòu)量測的精度一般是納米級別的。1D結(jié)構(gòu)就是幾層，幾十層甚至上百層薄膜的堆疊，主要是用來給研發(fā)前期調(diào)整工藝穩(wěn)定性保駕護航的，其測量精度一般是埃數(shù)量級的。就邏輯芯片來說，最重要的量測對象是HKMG這些站點各層薄膜的量測。因為這些站點每層薄膜的厚度往往只有幾個到十幾個埃，而process window更極限，往往只有1-1.5個埃，也就是說對工藝要求極高。而這些金屬層又跟電性關(guān)聯(lián)度很大，所以每一家fab都對這些站點的量測非常重視。

橢偏儀的測量精度由哪些因素決定？

橢偏儀的測量精度主要取決于偏振器件的定位精度，故而產(chǎn)生系統(tǒng)誤差因素較少。但測量時需讀取或計算偏振器件的方位角，這樣一來便影響了測量速度。所以消光式橢偏儀主要用于對測量速度要求不高的場合，例如高校實驗室。而在工業(yè)上主要使用的是光度式橢偏儀。

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