價帶譜怎么分析

價帶譜怎么分析？XPS價帶譜位移XPS中靠近費(fèi)米能級的低結(jié)合能(0~35eV)，主要設(shè)計(jì)非定域的或成鍵的軌道；

XPS價帶譜因其所用X射線源線寬的限制和X射線在價帶區(qū)電離截面小的原因，信號強(qiáng)度弱，信噪比差，譜線緊靠一起，形成帶狀結(jié)構(gòu)；

XPS價帶譜反應(yīng)了固體價帶結(jié)構(gòu)的信息，因此可以提供固體材料的電子結(jié)構(gòu)信息。由于XPS價帶譜不能直接反映能帶結(jié)構(gòu)，還必須經(jīng)過復(fù)雜的理論處理和計(jì)算。

在XPS價帶譜的研究中，一般采用XPS價帶譜結(jié)構(gòu)的比較進(jìn)行研究，而理論分析相應(yīng)較少。

在石墨，碳納米管和C60分子的價帶譜上都有三個基本峰。

這三個峰均是由共軛π鍵所產(chǎn)生的。在C60分子中，由于鍵的共軛度較小，其三個分裂峰的強(qiáng)度較強(qiáng)。而在碳納米管和石墨中由于共軛度較大，特征結(jié)構(gòu)不明顯。

在C60分子的價帶譜上還存在其他三個分裂峰，這些是由C60分子中的?鍵所形成的。

由此可見，從價帶譜上也可以獲得材料電子結(jié)構(gòu)的信息。

根據(jù)價帶X射線光電子能譜價帶譜（VB XPS）的測試數(shù)據(jù)作圖，將所得到圖形在0 eV附近的直線部分外推至與水平的延長線相交，交點(diǎn)即為Ev。

如下圖，根據(jù)ZnIn2S4以及O摻雜ZnIn2S4的VB XPS圖譜，在0 eV附近（2 eV和1 eV）發(fā)現(xiàn)有直線部分進(jìn)行延長，并將小于0 eV的水平部分延長得到的交點(diǎn)即分別為ZnIn2S4以及O摻雜ZnIn2S4的價帶位置對應(yīng)的能量（1.69 eV和0.73 eV）。