鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
設(shè)為首頁 | 收藏本站

二次離子質(zhì)譜可以測(cè)什么

 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2024-01-27 13:30作者:鑠思百檢測(cè)

二次離子質(zhì)譜可以測(cè)什么?二次離子質(zhì)譜儀SIMS分析對(duì)象包括金屬及合金、半導(dǎo)體、絕緣體、有機(jī)物、生物膜等。下面鑠思百檢測(cè)為大家介紹下關(guān)于二次離子質(zhì)譜分析,二次離子質(zhì)譜可以測(cè)什么方面知識(shí)。


二次離子質(zhì)譜(secondaryionmassspectroscopy,簡(jiǎn)稱SIMS),是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器,原理利用質(zhì)譜法分析初級(jí)離子入射靶面后,樣品表面被高能聚焦的一次離子轟擊時(shí),一次離子注入被分析樣品,把動(dòng)能傳遞給固體原子,引起中性粒子和帶止負(fù)電荷的二次離子發(fā)生濺射,然后根據(jù)濺射的二次離子的質(zhì)量信號(hào),對(duì)被轟擊樣品的表面和內(nèi)部元素分布特征進(jìn)行分析。


通過不同的操作模式,測(cè)試可以得到表面質(zhì)譜、表面成像、深度剖析和三維分析信息,用來完成工業(yè)生產(chǎn)和科研研究過程中所需的摻雜和雜質(zhì)深度數(shù)據(jù);淺注入和超薄膜的超高分辨率深度分析;芯片結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)元素定性定量分析;薄膜的組成和雜質(zhì)的測(cè)量等,這種技術(shù)本身具有“破壞性”的物質(zhì)濺射,可以應(yīng)用在包括但不僅限于金屬及合金、半導(dǎo)體、絕緣體、有機(jī)物、生物膜分析對(duì)象上。

質(zhì)量分析器可采用單聚焦、雙聚焦,飛行時(shí)間、四極桿、離子阱、離子回旋共振等,其中飛行時(shí)間離子質(zhì)譜TOF-SIMS是通過將二次離子質(zhì)譜分析技術(shù)(SIMS)與飛行時(shí)間質(zhì)量分析器(TOF)結(jié)合起來,由于其一次脈沖就可得到一個(gè)全譜,離子利用率最高,能最好地實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品幾乎無損的靜態(tài)分析,分析速度快和樣品的消耗極少,分析質(zhì)量范圍寬,對(duì)有機(jī)、無機(jī)材料都有很好的分析能力。


  一、二次離子質(zhì)譜SIMS可以測(cè)什么?

、二次離子質(zhì)譜分析

    1)測(cè)試范圍:
    1、摻雜和雜質(zhì)深度分析
    2、淺注入和超薄膜的超高分辨率深度分析
    3、芯片分析,芯片結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)元素定性定量分析
    4、薄膜的組成和雜質(zhì)的測(cè)量
    2)SIMS測(cè)試樣品:
    SiC基部分元素定量分析
    GaN基(Mg、Si、C、O等)
    Si基(C、H、O等)


目前TOF-SIMS技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域已經(jīng)成為了一種常規(guī)性的測(cè)試方法,實(shí)驗(yàn)室提供德國ION-TOF的先進(jìn)TOF-SIMS儀器檢測(cè)服務(wù),可以為客戶提供完善的SIMS技術(shù)解決方案。已完成礦石薄膜深度剖析、合金表面元素分析等多項(xiàng)實(shí)驗(yàn)服務(wù)案例,對(duì)有機(jī)與無機(jī)材料、金屬、半導(dǎo)體、陶瓷、催化劑、生物、薄膜、涂層及納米材料等的進(jìn)行測(cè)試。


二、鑠思百檢測(cè)——二次離子質(zhì)譜SIMS結(jié)果展示


1、質(zhì)譜+分析

質(zhì)譜測(cè)試:只給出校正后的圖片和TXT數(shù)據(jù)。

質(zhì)譜+數(shù)據(jù)處理:會(huì)給出校正后的圖片和所有的離子譜峰歸屬列表。


2、面掃+分析

導(dǎo)出客戶指定離子的 MAPPING, 所有離子統(tǒng)一用Thermal 顏色:右邊的色標(biāo)可以看出黑色是分布沒有的區(qū)域,黃色白色是分布較多的區(qū)域;


3、深度剖析+數(shù)據(jù)分析

儀器型號(hào)1:TOF-SIMS 5 iontof--快遞交替模式--深度剖析

深度曲線-相對(duì)應(yīng)的3D圖






在線客服
 
 
 工作時(shí)間
周一至周六 :8:00-18:00
 聯(lián)系方式
客服-黃工:150 7104 0697
客服-劉工:18120219335
天柱县| 高碑店市| 庄河市| 阳东县| 乐陵市| 石景山区| 黔江区| 马鞍山市| 吉木乃县| 长汀县| 介休市| 兴文县| 竹山县| 连南| 麻城市| 本溪市| 夏津县| 聂荣县| 满城县| 泌阳县| 桓仁| 蒙城县| 昭通市| 和硕县| 松溪县| 陆丰市| 芦山县| 福海县| 绥滨县| 漯河市| 浦县| 柞水县| 克什克腾旗| 临城县| 芮城县| 松溪县| 连江县| 太仓市| 巴彦县| 淮南市| 内乡县|