鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹(shù)脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線(xiàn)光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線(xiàn)衍射儀(XRD)X射線(xiàn)散射儀SAXS/WAXSX射線(xiàn)殘余應(yīng)力分析儀X射線(xiàn)熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見(jiàn)反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線(xiàn)同步輻射吸收譜之硬X射線(xiàn)同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類(lèi)原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類(lèi)Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線(xiàn)吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽(yáng)能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀(guān)形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀(guān)形貌觀(guān)察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀(guān)察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀(guān)形貌觀(guān)察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀(guān)形貌觀(guān)察和元素分布石墨類(lèi)型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀(guān)察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀(guān)察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀(guān)形貌觀(guān)察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無(wú)定型碳比例隔膜表面微觀(guān)形貌觀(guān)察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀(guān)察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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探索微觀(guān)世界的神器:透射電鏡-鑠思百檢測(cè)

 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2024-07-25 11:27作者:鑠思百檢測(cè)來(lái)源:鑠思百檢測(cè)

一、透射電鏡的誕生與發(fā)展

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透射電鏡的誕生并非一蹴而就,而是眾多科學(xué)家智慧與努力的結(jié)晶。
早在 19 世紀(jì),就有科學(xué)家為其奠定了基礎(chǔ)。1858 年,尤利烏斯·普呂克認(rèn)識(shí)到可利用磁場(chǎng)使陰極射線(xiàn)彎曲,這一發(fā)現(xiàn)為后續(xù)的研究埋下了伏筆。1897 年,約瑟夫·約翰·湯姆森發(fā)現(xiàn)電子,打破了原子不可分割的傳統(tǒng)觀(guān)念。
進(jìn)入 20 世紀(jì),相關(guān)理論探索不斷推進(jìn)。1924 年,德布羅意提出物質(zhì)波概念,為利用電子制作顯微鏡提供了理論可能。1926 年,漢斯·布斯發(fā)現(xiàn)軸對(duì)稱(chēng)非均勻磁場(chǎng)能使電子波聚焦,這一關(guān)鍵發(fā)現(xiàn)成為電子顯微鏡中磁透鏡的重要理論依據(jù)。
在實(shí)踐方面,1931 年,德國(guó)學(xué)者恩斯特·魯斯卡(Ernst Ruska)和馬克斯·克諾爾(Max Knoll)首次獲得了放大 17.4 倍的鉑網(wǎng)電子圖像,這被視為電子顯微鏡的雛形。1932 年,魯斯卡和克諾爾正式發(fā)表了題為《電子顯微鏡》的論文,明確提出了“電子顯微鏡”的概念。1933 年,魯斯卡以磁透鏡的研制和焦距的測(cè)量作為博士論文內(nèi)容,進(jìn)一步改進(jìn)了電子顯微鏡,獲得了放大 12000 倍的電子顯微像。
1934 年,電子顯微鏡的分辨率已達(dá)到 500?,魯斯卡也因在透射電鏡領(lǐng)域的開(kāi)創(chuàng)性貢獻(xiàn),于 1986 年獲得諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。此后,透射電鏡不斷發(fā)展。1939 年,德國(guó)西門(mén)子公司造出了世界上第一臺(tái)商品透射電鏡,分辨率優(yōu)于 100 ?。

在這一歷程中,魯斯卡無(wú)疑是關(guān)鍵人物。他的工作為透射電鏡的發(fā)展開(kāi)辟了道路,使得人類(lèi)能夠更深入地探索微觀(guān)世界。(鑠思百檢測(cè))


二、透射電鏡的工作原理

透射電鏡的工作原理精妙而復(fù)雜。它利用電子束作為光源,通過(guò)一系列精心設(shè)計(jì)的部件和過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)微觀(guān)結(jié)構(gòu)的成像與分析。
首先,電子槍發(fā)射出電子束,這些電子在陽(yáng)極加速電壓的作用下獲得足夠的能量。隨后,聚光鏡將電子束會(huì)聚成一束很細(xì)且均勻的光束,照亮放置在樣品室內(nèi)的樣品。
在電子束穿透樣品的過(guò)程中,由于樣品不同部位的結(jié)構(gòu)和成分存在差異,電子束會(huì)發(fā)生散射和衍射。透過(guò)樣品的電子束攜帶著樣品內(nèi)部的結(jié)構(gòu)信息,這些信息會(huì)被電磁透鏡所捕捉。
電磁透鏡對(duì)電子束進(jìn)行聚焦和放大。樣品內(nèi)致密處透過(guò)的電子量少,稀疏處透過(guò)的電子量多,這種差異導(dǎo)致通過(guò)物鏡光闌孔的電子束強(qiáng)度產(chǎn)生差別。經(jīng)過(guò)物鏡的聚焦放大,在其像平面上形成第一幅反映樣品微觀(guān)特征的電子像。
然后,中間鏡和投影鏡進(jìn)一步對(duì)電子像進(jìn)行放大和綜合處理,最終將放大后的電子影像投射在觀(guān)察室內(nèi)的熒光屏上,或者通過(guò)照相底片進(jìn)行記錄。
對(duì)于透過(guò)樣品的電子束所攜帶的信息處理和分析,主要有以下幾種方式。早期的透射電鏡主要基于吸收像原理,當(dāng)電子射到質(zhì)量、密度大的樣品區(qū)域時(shí),散射作用明顯,通過(guò)的電子較少,成像較暗。
此外,還有衍射像的分析方法。電子束被樣品衍射后,不同位置的衍射波振幅分布對(duì)應(yīng)著樣品中晶體各部分的衍射能力差異,晶體缺陷處的衍射能力與完整區(qū)域不同,從而反映出晶體缺陷的分布。
當(dāng)樣品薄至特定程度,如 100? 以下時(shí),相位像成為重要的分析依據(jù)。在這種情況下,波的振幅變化可忽略,成像主要來(lái)自于相位的變化。

總之,透射電鏡通過(guò)對(duì)電子束的巧妙利用和對(duì)其攜帶信息的精準(zhǔn)處理,為我們揭示了微觀(guān)世界的奧秘。(鑠思百檢測(cè))


三、透射電鏡的最新技術(shù)

(一)冷凍透射電鏡技術(shù)

冷凍透射電鏡技術(shù)是在普通透射電鏡基礎(chǔ)上加裝了樣品冷凍裝置,能將樣品冷卻至液氮溫度(77K)。其特點(diǎn)在于可以觀(guān)測(cè)對(duì)電子束和溫度敏感的樣品,如生物、高分子材料等。通過(guò)快速冷凍,能使水在低溫下呈玻璃態(tài),減少枝晶產(chǎn)生,不影響樣品結(jié)構(gòu)。優(yōu)勢(shì)在于降低電子束對(duì)樣品的損傷,在研究電池材料、金屬鋰枝晶等方面發(fā)揮了重要作用,能揭示樣品在原子尺度上的原始狀態(tài)和詳細(xì)納米結(jié)構(gòu)。

(二)球差電鏡技術(shù)

球差電鏡技術(shù)分為球差校正透射電鏡(AC-TEM)和球差校正掃描透射電鏡(AC-STEM)。其原理是通過(guò)球差校正裝置削減像差,從而大幅提高分辨率。傳統(tǒng)TEM和STEM分辨率在納米、亞納米級(jí),而球差電鏡的分辨率能達(dá)到埃級(jí)和亞埃級(jí)別。這使得它能夠?qū)Σ牧线M(jìn)行更精細(xì)準(zhǔn)確的結(jié)構(gòu)表征,在研究石墨烯波紋、測(cè)量合金元素分布等方面表現(xiàn)出色。

(三)電子疊層衍射成像技術(shù)

電子疊層衍射成像技術(shù)是電子顯微學(xué)領(lǐng)域的新突破。它通過(guò)逆向解決多次散射問(wèn)題,并利用電子顯微成像技術(shù)克服電子探針像差,實(shí)現(xiàn)了原子晶格振動(dòng)決定的終極分辨率。能夠在厚樣品中達(dá)到不到20皮米的儀器模糊和線(xiàn)性相位響應(yīng),能從單一投影測(cè)量定位嵌入原子的摻雜原子。在研究鎳基超導(dǎo)體中的氧空位及相關(guān)電子結(jié)構(gòu)等方面取得了重要成果。(鑠思百檢測(cè))


四、透射電鏡的應(yīng)用領(lǐng)域

在材料科學(xué)領(lǐng)域,透射電鏡可用于納米材料表征,揭示其尺寸、形狀、結(jié)晶度和缺陷結(jié)構(gòu),助力開(kāi)發(fā)性能更優(yōu)的新型材料。例如,在研究半導(dǎo)體材料時(shí),能檢查晶圓的缺陷、摻雜分布和層間界面,改善半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。
在生物學(xué)領(lǐng)域,透射電鏡在植物學(xué)研究中,可幫助探索植物結(jié)構(gòu)與功能的關(guān)系,改善植物抗病害能力。在超微結(jié)構(gòu)診斷學(xué)中,為疾病診斷提供有力依據(jù),避免誤診、漏診。在病毒研究方面,如新冠病毒,能清晰呈現(xiàn)其形態(tài)結(jié)構(gòu),有助于藥物研發(fā)和疫情防控。
在化學(xué)領(lǐng)域,透射電鏡配合 X 射線(xiàn)能譜,可獲取納米尺度催化劑顆粒的微觀(guān)形貌和成分信息,為催化反應(yīng)研究提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。原位透射電鏡技術(shù)能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,助力研究材料構(gòu)效關(guān)系,提升電化學(xué)性能。
在地球科學(xué)領(lǐng)域,透射電鏡可用于研究地球早期生命演化、沉積物中磁性礦物等。通過(guò)分析礦物的微觀(guān)結(jié)構(gòu)和成分,深入了解地球內(nèi)部的物質(zhì)組成和變化過(guò)程,為地質(zhì)勘探和礦產(chǎn)資源開(kāi)發(fā)提供支持。
在物理學(xué)領(lǐng)域,透射電鏡能幫助研究物質(zhì)的原子結(jié)構(gòu)和電子特性,對(duì)于理解物理現(xiàn)象和新材料的研發(fā)具有重要意義。

在工程領(lǐng)域,透射電鏡在材料的斷裂和失效分析中發(fā)揮關(guān)鍵作用,觀(guān)察材料斷裂面的微觀(guān)特征,確定失效原因,改進(jìn)材料設(shè)計(jì),提高工程材料的質(zhì)量和可靠性。(鑠思百檢測(cè))


五、透射電鏡的操作方法

(一)開(kāi)機(jī)準(zhǔn)備

  1. 首先打開(kāi)房間空調(diào),將循環(huán)水室溫度降至 21 度,手術(shù)室溫度降至 25 度。

  1. 開(kāi)啟冷卻水循環(huán)裝置,一個(gè)獨(dú)立的小控制器,先將開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)到 ON,然后按電源鍵。

  1. 啟動(dòng)穩(wěn)壓電源,穩(wěn)壓至 220V,檢查電壓箱電源指示燈亮。

  1. 用鑰匙啟動(dòng)主機(jī),從 OFF 檔轉(zhuǎn)到 START 位,松開(kāi)后鑰匙自動(dòng)回到 ON 位置。儀器自動(dòng)抽真空,等待約 40 分鐘,直至 DP 綠燈、HIGH 綠燈、READY 綠燈亮起(若不亮,將 LENS LIGHT 轉(zhuǎn)到 ON 位置)。

(二)電子槍合軸

  1. 確認(rèn) READY 綠燈亮。

  1. 將樣品和物鏡燈條拉到 0 位置。

  1. 按 HT 鍵后,依次按 40 - 60 - 80 - 100kV 鍵,觀(guān)察梁式電流表是否正常,每次等待電流表顯示穩(wěn)定之后再進(jìn)行下一步,一般調(diào)整到 80kV。

  1. 緩慢地將燈絲 EMI 旋鈕轉(zhuǎn)到鎖定位置,一般在掃描(5300 次)的情況下調(diào)整,并調(diào)整冷凝器按鈕以獲得光斑。

  1. 將光斑大小調(diào)整到三檔,將聚光燈按鈕調(diào)整到對(duì)焦位置,得到最小和最亮的光斑,然后使用左右 ALIGNMENT:TRANS(small)將點(diǎn)拉到最中間位置(中間位置有一個(gè)黑點(diǎn))。

  1. 將光斑大小調(diào)整到一檔,將聚光燈按鈕調(diào)整到焦距,獲得最小和最亮的光斑,然后使用“槍對(duì)中:trans(x,y)”將光斑拉到中間位置。

  1. 重復(fù)上述步驟 5 和 6,使光束不偏離中心。

(三)調(diào)燈絲相

  1. 透射電鏡在掃描模式下,將光斑大小調(diào)整到一檔。

  1. 稍微向后拉圓角發(fā)射旋鈕,直到看到燈絲的欠飽和圖像,即車(chē)輪圖像(魚(yú)眼圖像)。若車(chē)輪圖像不對(duì)稱(chēng),緩慢旋轉(zhuǎn)槍對(duì)準(zhǔn):傾斜(x,y)使燈絲圖像對(duì)稱(chēng)。

  1. 然后將燈絲發(fā)射旋鈕調(diào)整到燈絲飽和(即,完全亮,無(wú)陰影),并鎖定位置。

(四)對(duì)焦

  1. 關(guān)閉透射電子顯微鏡燈絲后,插入樣品和物鏡光桿。

  1. 打開(kāi)透射電子顯微鏡的燈絲發(fā)射旋鈕,將光斑放大到滿(mǎn)屏(避免燒壞銅網(wǎng))。

  1. 找到樣品,并選中一目標(biāo)為參照。

  1. 打開(kāi)圖像韋伯,樣本將抖動(dòng),調(diào)整調(diào)焦旋鈕(有大、中、小三種,一般只用于中、?。?,直到透射電鏡圖像清晰無(wú)重影。

(五)聚光鏡對(duì)中調(diào)節(jié)

  1. 關(guān)閉透射電子顯微鏡的燈絲后,拔出樣品,拔出燈桿,打開(kāi)燈絲,減少斑點(diǎn),檢查是否在中心位置。

  1. 在 SCAN 模式,SPOT SIZE 1 檔情況下,將 COND ALIGNMENT 打到 ON,然后下面一 WOBBLER 鍵打到 X,以調(diào)節(jié)光斑重合,同樣的方法進(jìn)行 Y 軸對(duì)中調(diào)節(jié),調(diào)節(jié)完畢之后打到中間 OFF 檔。

  1. 將 IMAGE WOBBLER 鍵打到 ON,調(diào)節(jié) IMAGE WOBBLER A、B 旋鈕至重合。

(六)光欄調(diào)節(jié)

  1. 冷凝器光欄調(diào)節(jié):判斷透射電鏡光欄是否在中間位置,調(diào)節(jié) CONDENSER 時(shí),光斑不在中間,放大時(shí)會(huì)有很大陰影(電子束被東西擋?。?,移動(dòng)樣品時(shí)也沒(méi)有改變,此時(shí)可以斷定是光欄位置不正確,通過(guò)調(diào)節(jié)光欄上兩個(gè)旋鈕,使光欄回到中間位置。

  1. 物鏡光欄調(diào)節(jié):打開(kāi) FUNCTION:SADIFF(控制臺(tái) D 區(qū),與 SCAN 一排的一個(gè)按鈕),調(diào)節(jié) SA/HD DIFFRACTION:CAMERA LENGTH(控制臺(tái) B 區(qū))和物鏡光欄上的兩個(gè)旋鈕,使得中間最亮點(diǎn)周?chē)囊蝗^暗的光斑變得對(duì)稱(chēng)即可。

(七)像散調(diào)節(jié)

  1. 聚光鏡像散調(diào)節(jié):當(dāng)透射電子顯微鏡未放入樣品時(shí),插入冷凝器光欄(2 檔),將光斑大小調(diào)整到 3 檔,調(diào)節(jié) CONDENSER 鈕至光斑最小最亮,再調(diào)節(jié) COND STIGMATOR X、Y 旋鈕,使得光斑變得最圓,即完成聚光鏡像散調(diào)節(jié)。

  1. 物鏡像散調(diào)節(jié):在完成以上調(diào)節(jié),即確認(rèn)透射電鏡對(duì)中狀態(tài)良好,電壓中心對(duì)中,無(wú)聚光鏡像散,光欄位置正確的情況下進(jìn)行物鏡像散調(diào)節(jié)。插入物鏡光欄,在觀(guān)察樣品的時(shí)候調(diào)節(jié),在高倍下(大于 10 萬(wàn)倍)找到一樣品作為參照,改變焦距,觀(guān)察樣品邊緣系統(tǒng)是否均勻,若有像散,配合調(diào)節(jié) OBJ STIGMATOR:X、Y 旋鈕(控制臺(tái) E 區(qū))和 FOCUS 旋鈕,消除像散。

(八)樣品裝卸

  1. 確認(rèn)樣品裝卸時(shí)透射電鏡狀態(tài):放大倍數(shù)調(diào)至較小倍數(shù),燈絲發(fā)射至 OFF。

  1. 右邊的旋轉(zhuǎn)手柄有四個(gè)檔位:空檔位、SET、AIRLOCK、ENG,觀(guān)察樣品的時(shí)候一定在 SET 檔位,ENG 檔位用來(lái)?yè)Q樣品,當(dāng)需要打開(kāi)左邊的樣品室時(shí),一定要放置在 AIRLOCK 檔位,空檔位只是一個(gè)過(guò)渡。

  1. 左邊的樣品室旋轉(zhuǎn)手柄上有兩種標(biāo)識(shí),一種是數(shù)字(1 - 6),另外間于數(shù)字中間的是一些點(diǎn),當(dāng)數(shù)字對(duì)正時(shí),可以用右邊的旋轉(zhuǎn)手柄把相應(yīng)的樣品從樣品室中取出。當(dāng)需要打開(kāi)樣品室換下一批樣品時(shí),要保證所有的樣品都留在樣品室,這樣就要讓數(shù)字中間的點(diǎn)對(duì)正,再將右邊的旋轉(zhuǎn)手柄拉出。

  1. 當(dāng)右邊旋轉(zhuǎn)手柄置于 AIRLOCK 檔位時(shí)可以打開(kāi)樣品室,左邊有一能上下扳動(dòng)的把手。

(九)關(guān)機(jī)

  1. 放大倍數(shù)減小到 10000 倍以下,光斑滿(mǎn)屏。

  1. 退燈絲至 OFF。

  1. 直接按下 20kV 按鈕,然后按下高壓鍵 HT(燈熄滅)。

(鑠思百檢測(cè))

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