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掃描電鏡之電子背散射衍射檢測

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發(fā)表時間:2019-12-24 09:38作者:武漢鑠思百檢測技術(shù)有限公司來源:鑠思百檢測

掃描電鏡之電子背散射衍射檢測


前言:

掃描電鏡:背散射電子(BSE)是由入射電子束與原子核的彈性散射或非彈性散射所產(chǎn)生的高能電子。背散射電子(BSE)的產(chǎn)率,即出射的背散射電子(BSE)數(shù)與入射電子數(shù)之比,取決于樣品平均原子序數(shù):平均原子序數(shù)越高,或元素越重,襯度就越亮。在SEM掃描電鏡中,背散射電子是通過放置在樣品上方的四分割半導(dǎo)體探測器檢測到的。在此文中,將解釋什么是半導(dǎo)體探測器,以及如何在掃描電子顯微鏡下檢測背散射電子。



背散射電子的發(fā)射


當(dāng)入射電子擊中樣品表面時,入射電子與原子的原子核相互作用,并偏離其軌跡,如圖 1 所示。


圖1:入射電子與原子核相互作用后散射的示意圖



如果條件合適,入射電子可以被散射回來,并脫離樣品表面,保持其高能量。一般來說,較重的元素,因為它們的原子核較大,可以比較輕的元素更強(qiáng)烈地偏轉(zhuǎn)入射電子。因此,在掃描電鏡圖像中,像銀這樣的重元素(原子序數(shù)為47)與原子序數(shù)為14的輕元素(如硅)相比顯得更加明亮,因為更多的背散射電子從樣品表面發(fā)射出來。


圖 2 顯示了銀和硅之間的背散射電子(BSE)圖像的對比。這張圖片顯示了一個太陽能電池板的區(qū)域,白色區(qū)域是銀,黑色區(qū)域是硅。


圖2:太陽能電池板的掃描電鏡(SEM)圖像,白色區(qū)域為銀,黑色區(qū)域為硅。



但是如何在掃描電鏡中檢測到背散射電子呢?


半導(dǎo)體探測器的物理性質(zhì)


通常用固態(tài)(或半導(dǎo)體)探測器進(jìn)行背散射電子(BSE)的檢測。這些由摻雜的半導(dǎo)體材料(通常是硅)組成,并直接置于樣品上方,如圖3所示。半導(dǎo)體探測器的工作原理是利用入射的背散射電子(BSE)在半導(dǎo)體中產(chǎn)生電子空穴對。簡而言之:撞擊探測器的背散射電子(BSE)激發(fā)硅電子,形成電子空穴對。


在硅中形成電子空穴對,需要 3.6 eV 的能量,產(chǎn)生的電子空穴對的數(shù)量與入射電子的能量及數(shù)量成正比。此外,半導(dǎo)體探測器只對高能電子敏感,這也是為什么它們只用于探測背散射電子的原因。


圖3:半導(dǎo)體探測器示意圖 1



掃描電鏡中半導(dǎo)體探測器的電子電路


從入射的背散射電子中產(chǎn)生的電子空穴對可以在重組前被分離,從而產(chǎn)生電流。這種電流可以通過電子電路來測量,該電路是具有輸入電阻和反饋電阻的運(yùn)算放大器,如圖 3 所示。


在這里,探測器為電荷收集電流發(fā)生器(Icc),與摻雜硅(Rd和Cd)的p-n結(jié)處形成的損耗層的電阻和電容平行,與半導(dǎo)體(Rs)的內(nèi)部電阻串聯(lián)。由于放大器對于較大的RF/Re值會變得不穩(wěn)定,所以在反饋回路中增加了額外的電容,以防止放大器振蕩。


圖4:半導(dǎo)體探測器系統(tǒng)的電子電路 1



掃描電鏡(SEM)中半導(dǎo)體探測器的噪聲


半導(dǎo)體探測器噪聲的主要來源是入射的背散射電子(BSE)電流和前置放大器的噪聲。入射電子束的噪聲是由入射的電子數(shù)量的波動引起的。前置放大器的噪聲是熱噪聲,也叫約翰遜-尼奎斯特噪聲,它與波爾茲曼常數(shù)和電阻的溫度成正比。



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