GB/T24578-2015 硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測(cè)試方法

　　本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片，外延片, 測(cè)定砷化鎵，碳化硅，SOI 等材料鏡面拋光晶片表面的金屬沾污。

　　本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定使用全反射X光熒光光譜,穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀，PL檢測(cè).壽命檢測(cè)。 定量測(cè)定硅拋光襯底表面層的元素面密度的方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅單晶拋光片、外延片(以下稱硅片), 尤其適用于硅片清洗后自 然氧化層, 或經(jīng)化學(xué)方法生長(zhǎng)的氧化層中沾污元素面密度的測(cè)定, 探測(cè)深度約 5nm，適用于測(cè)定以 下元素: 鉀，銀、錫、鈣，鈦，鐵、鈷、鎳、銅、鋅、釩，鉻，錳，砷、鉬、鈀、鉭、鎢、鉑、金、汞和鉛。測(cè)定范圍為10 9 atoms / cm 2~10 15 atoms / cm 2 。 本標(biāo)準(zhǔn)同樣適用于其他半導(dǎo)體材料, 如砷化鎵、碳化硅、 SOI 等鏡面拋光晶片表面金屬沾污的測(cè)定。

發(fā)布時(shí)間：2015-12-10         實(shí)施時(shí)間：2017-01-01

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