超高分辨率掃描電鏡

二維碼

發(fā)表時(shí)間：2020-06-29 16:39作者：鑠思百檢測(cè)來(lái)源：鑠思百檢測(cè)

掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡的制造依據(jù)是電子與物質(zhì)的相互作用。
掃描電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常細(xì)的高能電子束在試樣上掃描，激發(fā)出各種物理信息。通過(guò)對(duì)這些信息的接受、放大和顯示成像，獲得測(cè)試試樣表面形貌的觀察。

應(yīng)用范圍：

固體樣品的微觀形貌、結(jié)構(gòu)，樣品的微區(qū)元素成分、線分布、面分布，廣泛應(yīng)用于納米技術(shù)、材料、物理、化學(xué)、環(huán)境科學(xué)等領(lǐng)域。

塊體、粉末、磁性、生物樣品都適用。

適合導(dǎo)電性不佳的樣品形貌觀察。

檢測(cè)項(xiàng)目：

表面形貌觀察（磁性、非磁樣品、生物樣均可），

EDS能譜（點(diǎn)掃、線掃、面掃），elements Mapping，EBSD

制樣要求：

樣品尺寸要求：塊狀樣和生物樣，直徑小于26mm，高度小于15mm（樣品中不得含有水分）

粉末樣>0.02g

生物樣品需要提前制好樣，否則不予測(cè)試。

立即預(yù)約?

掃描電鏡儀器圖片.jpg

分析原理：用電子技術(shù)檢測(cè)高能電子束與樣品作用時(shí)產(chǎn)生二次電子、背散射電子、吸收電子、X射線等并放大成象

譜圖的表示方法：背散射象、二次電子象、吸收電流象、元素的線分布和面分布等

提供的信息：斷口形貌、表面顯微結(jié)構(gòu)、薄膜內(nèi)部的顯微結(jié)構(gòu)、微區(qū)元素分析與定量元素分析等

掃描電鏡

SEM工作圖

入射電子與樣品中原子的價(jià)電子發(fā)生非彈性散射作用而損失的那部分能量（30～50eV）激發(fā)核外電子脫離原子，能量大于材料逸出功的價(jià)電子從樣品表面逸出成為真空中的自由電子，此即二次電子。

電子發(fā)射圖

二次電子探測(cè)圖

二次電子試樣表面狀態(tài)非常敏感，能有效顯示試樣表面的微觀形貌，分辨率可達(dá)5～10nm。

二次電子掃描成像

入射電子達(dá)到離核很近的地方被反射，沒(méi)有能量損失；既包括與原子核作用而形成的彈性背散射電子，又包括與樣品核外電子作用而形成的非彈性背散射電子。

背散射電子探測(cè)圖

用背反射信號(hào)進(jìn)行形貌分析時(shí)，其分辨率遠(yuǎn)比二次電子低。可根據(jù)背散射電子像的亮暗程度，判別出相應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)的相對(duì)大小，由此可對(duì)金屬及其合金的顯微組織進(jìn)行成分分析。

EBSD成像過(guò)程

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