GBT37131-2018納米技術　半導體納米粉體材料紫外-可見漫反射光譜的測試方法

GBT37131-2018納米技術　半導體納米粉體材料紫外-可見漫反射光譜的測試方法

與傳統(tǒng)的半導體材料相比,半導體納米粉體材料呈現(xiàn)出特殊的光學和電學性質,具有優(yōu)異的光電轉化特性,在新能源制備、環(huán)境保護、化工、醫(yī)藥、航空和軍事等領域均得到廣泛應用。紫外-可見漫反射光譜是研究半導體納米粉體材料光學性質的重要表征手段,可用于帶隙、色差分析,表面吸附、粉體之間的反應,以及其他一些重要性質的研究。在半導體納米粉體材料的紫外-可見漫反射光譜中,特征漫反射峰位置與其帶隙直接相關。帶隙是半導體納米粉體材料非常重要的物理特性,直接影響材料的光學性質與應用領域及范圍。結合紫外-可見漫反射光譜與庫貝爾卡-蒙克(Kubelka~Munk)方程可計算半導體納米粉體材料的帶隙。為滿足我國科研與生產部門的需求,需要對該測試方法進行規(guī)范與標準化。

范圍：本標準規(guī)定了半導體納米粉體材料的紫外-可見漫反射光譜測試方法。

本標準適用于不透光半導體納米粉體材料漫反射光譜的測試。

方法原理：半導體納米材料吸收紫外-可見光波段的能量,其價帶電子由價帶頂躍遷至導帶底,產生吸收,形成半導體納米粉體材料的紫外-可見漫反射光譜。由該光譜可獲得材料的吸收波長信息,并可通過庫貝爾卡-蒙克方程計算材料的帶隙。在紫外-可見漫反射光譜中,漫反射滿足庫貝爾卡-蒙克方程,這個方程應用于無限厚不透明物質時

發(fā)布時間：2018-12-28              實施時間：2018-12-28

頒發(fā)部門：國家市場監(jiān)督管理總局

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