鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺(tái)階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測(cè)試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹(shù)脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網(wǎng)鉬網(wǎng)銅網(wǎng)超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應(yīng)力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見(jiàn)反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計(jì)原子熒光光度計(jì)(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計(jì)紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測(cè)試電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質(zhì)譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質(zhì)聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質(zhì)譜(SIMS)基質(zhì)輔助激光解吸電離飛行時(shí)間質(zhì)譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質(zhì)聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質(zhì)聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質(zhì)譜儀液質(zhì)聯(lián)用儀(LC-MS)質(zhì)譜測(cè)試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質(zhì)譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質(zhì)譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導(dǎo)熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測(cè)試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀核磁順磁波譜測(cè)試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學(xué)吸附儀(TPD TPR)接觸角測(cè)量?jī)x納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測(cè)試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測(cè)試電導(dǎo)率儀電化學(xué)工作站腐蝕測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)定儀卡爾費(fèi)休水分測(cè)定儀自動(dòng)電位滴定儀電化學(xué)儀器測(cè)試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測(cè)定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計(jì)有機(jī)鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機(jī)元素分析儀(EA)粘度計(jì)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)土壤分析測(cè)試植物分析測(cè)試其他測(cè)試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機(jī)時(shí)同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類(lèi)原位XPS測(cè)試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測(cè)試飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質(zhì)譜類(lèi)Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級(jí)瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術(shù)-XPS測(cè)試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術(shù)-紅外測(cè)試分析二維紅外光譜技術(shù)紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學(xué)數(shù)據(jù)分析矢量網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測(cè)試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測(cè)試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學(xué)結(jié)構(gòu)分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結(jié)構(gòu)確證技術(shù)-XRD精修XRD定性定量分析晶體結(jié)構(gòu)分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導(dǎo)體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測(cè)器仿真太陽(yáng)能電池仿真半導(dǎo)體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(yīng)(HER)費(fèi)米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學(xué)相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農(nóng)作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項(xiàng)目纖維素、半纖維素、木質(zhì)素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標(biāo)理化-其它非標(biāo)理化項(xiàng)目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測(cè)定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學(xué)-常規(guī)指標(biāo)糖化學(xué)液質(zhì)聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質(zhì)聯(lián)用GCMS全二維氣質(zhì)GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質(zhì)譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質(zhì)譜(LC-ICPMS)色譜質(zhì)譜DOM(FT- ICR- MS)水質(zhì)NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產(chǎn)品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測(cè)試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測(cè)定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤(rùn)性正極極片包覆層觀察正極極片雜質(zhì)含量測(cè)定正極極片氧空位測(cè)定負(fù)極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類(lèi)型判定負(fù)極顆粒粒徑分析負(fù)極極片孔洞分析負(fù)極顆粒包覆層觀察負(fù)極顆粒羥基含量測(cè)定負(fù)極極片包覆層觀察負(fù)極表面SEI膜分析XPS法負(fù)極極片SEI膜成分分析與厚度測(cè)定負(fù)極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負(fù)極極片石墨碳和無(wú)定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質(zhì)子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質(zhì)子交換膜雜質(zhì)元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結(jié)強(qiáng)度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-優(yōu)勢(shì)項(xiàng)目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學(xué)成分正極材料-晶體結(jié)構(gòu)正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結(jié)構(gòu)正極材料-壓實(shí)密度正極材料-振實(shí)密度電池產(chǎn)品-正極材料負(fù)極材料-PH值負(fù)極材料-比表面積負(fù)極材料-層間距 石墨化度負(fù)極材料成分分析負(fù)極材料-磁性異物負(fù)極材料-粉末壓實(shí)密度負(fù)極材料-固定碳含量負(fù)極材料-化學(xué)成分負(fù)極材料-粒徑分布負(fù)極材料-石墨鑒定負(fù)極材料-水分負(fù)極材料-限用物質(zhì)含量負(fù)極材料-形貌與結(jié)構(gòu)負(fù)極材料-陰離子的測(cè)定負(fù)極材料-有機(jī)物含量負(fù)極材料-真密度負(fù)極材料-振實(shí)密度負(fù)極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫(kù)倫效率電池產(chǎn)品-負(fù)極材料電解液-電導(dǎo)率電解液-化學(xué)元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產(chǎn)品-電解液電池產(chǎn)品-隔膜電池產(chǎn)品-隔膜
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tem透射電鏡電子衍射

 二維碼
發(fā)表時(shí)間:2023-02-03 15:37作者:鑠思百檢測(cè)

一、概述

電鏡中的電子衍射,其衍射幾何與X射線完全相同,都遵循布拉格方程所規(guī)定的衍射條件和幾何關(guān)系.衍射方向可以由厄瓦爾德球(反射球)作圖求出.因此,許多問(wèn)題可用與X射線衍射相類(lèi)似的方法處理.


電子衍射與X射線衍射相比的優(yōu)點(diǎn)

·電子衍射能在同一試樣上將形貌觀察與結(jié)構(gòu)分析結(jié)合起來(lái)。

·電子波長(zhǎng)短,單晶的電子衍射花樣婉如晶體的倒易點(diǎn)陣的一個(gè)二維截面在底片上放大投影,從底片上的電子衍射花樣可以直觀地辨認(rèn)出一些晶體的結(jié)構(gòu)和有關(guān)取向關(guān)系,使晶體結(jié)構(gòu)的研究比X射線簡(jiǎn)單。

·物質(zhì)對(duì)電子散射主要是核散射,因此散射強(qiáng),約為X射線一萬(wàn)倍,曝光時(shí)間短。

·不足之處

電子衍射強(qiáng)度有時(shí)幾乎與透射束相當(dāng),以致兩者產(chǎn)生交互作用,使電子衍射花樣,特別是強(qiáng)度分析變得復(fù)雜,不能象X射線那樣從測(cè)量衍射強(qiáng)度來(lái)廣泛的測(cè)定結(jié)構(gòu)。此外,散射強(qiáng)度高導(dǎo)致電子透射能力有限,要求試樣薄,這就使試樣制備工作較X射線復(fù)雜;在精度方面也遠(yuǎn)比X射線低。

衍射花樣的分類(lèi):

1)斑點(diǎn)花樣:平行入射束與單晶作用產(chǎn)生斑點(diǎn)狀花樣;主要用于確定第二象、孿晶、有序化、調(diào)幅結(jié)構(gòu)、取向關(guān)系、成象衍射條件;

2)菊池線花樣:平行入射束經(jīng)單晶非彈性散射失去很少能量,隨之又遭到彈性散射而產(chǎn)生線狀花樣;主要用于襯度分析、結(jié)構(gòu)分析、相變分析以及晶體的精確取向、布拉格位置偏移矢量、電子波長(zhǎng)的測(cè)定等;

3)會(huì)聚束花樣︰會(huì)聚束與單晶作用產(chǎn)生盤(pán)、線狀花樣;可以用來(lái)確定晶體試樣的厚度、強(qiáng)度分布、取向、點(diǎn)群、空間群以及晶體缺陷等。


二、TEM透射電鏡分析電子衍射花樣的標(biāo)定


01晶體結(jié)構(gòu)已知的單晶電子衍射花招的標(biāo)定

  單晶電子衍射譜實(shí)際上是倒空間中的一個(gè)零層倒易面,對(duì)它標(biāo)守時(shí),只考慮相機(jī)常數(shù)已知的情況。由于關(guān)于現(xiàn)在的電鏡,相機(jī)長(zhǎng)度可以直接從電鏡和底片上讀出來(lái),雖然這個(gè)值與實(shí)際上會(huì)有不同,但這個(gè)不同不大。之所以要在多晶衍射時(shí)考慮相機(jī)常數(shù)不知道的情況,是由于咱們常常要用已知的粉末多晶樣品(如金)去校正相機(jī)常數(shù)。相機(jī)常數(shù)不知道時(shí),單晶電子衍射花招標(biāo)定后可能欠好驗(yàn)算,因而除非是已知的相,否則標(biāo)定非常簡(jiǎn)略犯錯(cuò)。

  1.標(biāo)準(zhǔn)花招對(duì)照法

  這種辦法只適用于簡(jiǎn)略立方、面心立方、體心立方和密排六方的低指數(shù)晶帶軸。由于這些晶系的低指數(shù)晶帶的標(biāo)準(zhǔn)花招可以在有的書(shū)上查到,假設(shè)得到的衍射花招跟標(biāo)準(zhǔn)花招完全一同,則底子上可以判定該花招。透射電鏡通知你不過(guò)需求留心的是,通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)花招對(duì)照法標(biāo)定的花招,標(biāo)定完了往后,必定要驗(yàn)算它的相機(jī)常數(shù),由于標(biāo)準(zhǔn)花招給出的只是花招的份額聯(lián)絡(luò),而關(guān)于有的物相,某些較高指數(shù)花招在形狀上與某些低指數(shù)花招非常相似,但是由兩者算出來(lái)的相機(jī)常數(shù)會(huì)相差很遠(yuǎn)。所以即使知道該晶體的結(jié)構(gòu),在對(duì)比時(shí)依然要留神。

  2.檢驗(yàn)-校核法

  a)量出透射斑到各衍射斑的矢徑的長(zhǎng)度,運(yùn)用相機(jī)常數(shù)算出與各衍射斑對(duì)應(yīng)的晶面間隔,判定其可能的晶面指數(shù);

  b)首要判定矢徑最小的衍射斑的晶面指數(shù),然后用檢驗(yàn)的辦法選擇矢徑次小的衍射斑的晶面指數(shù),兩個(gè)晶面之間夾角應(yīng)該自恰;

  c)然后用兩個(gè)矢徑相加減,得到其它衍射斑的晶面指數(shù),看它們的晶面間隔和彼此之間的夾角是否自恰,假設(shè)不能自恰,則改動(dòng)第二個(gè)矢徑的晶面指數(shù),直到它們?nèi)孔郧≈兄?

  d)由衍射花招中任意兩個(gè)不共線的晶面叉乘,即可得出衍射花招的晶帶軸指數(shù)。

  檢驗(yàn)-校核法應(yīng)該留心的問(wèn)題

  關(guān)于立方晶系、四方晶系和正交晶系來(lái)說(shuō),它們的晶面間隔可以用其指數(shù)的平方來(lái)標(biāo)明,因而關(guān)于間隔必定的晶面來(lái)說(shuō),其指數(shù)的正負(fù)號(hào)可以隨意。但是在標(biāo)守時(shí),只需第一個(gè)矢徑是可以隨意取值的,從第二個(gè)初步,就要考慮它們之間角度的自恰;一同還要考慮它們的矢量相加減往后,得到的晶面指數(shù)也要與其晶面間隔自恰,一同角度也要保證自恰。

  其他晶系的對(duì)稱(chēng)性越***,k,l之間交換而不會(huì)改動(dòng)面間隔的時(shí)機(jī)越大,選擇的規(guī)劃就會(huì)更大,標(biāo)守時(shí)就應(yīng)該更加留神。

  3.查表法(比值法)-1

  a)選擇一個(gè)由斑斕構(gòu)成的平行四邊形,要求這個(gè)平行四邊形是由最短的兩個(gè)鄰邊組成,測(cè)量透射斑到衍射斑的最小矢徑和次小矢徑的長(zhǎng)度和兩個(gè)矢徑之間的夾角r1, r2,θ;

  b)依據(jù)矢徑長(zhǎng)度的比值r2/r1 和θ角查表,在與此物相對(duì)應(yīng)的表格中查找與其匹配的晶帶花招;

  c)按表上的效果標(biāo)定電子衍射花招,算出與衍射斑斕對(duì)應(yīng)的晶面的面間隔,將其與矢徑的長(zhǎng)度相乘看它等不等于相機(jī)常數(shù)(這一步非常重要);

  d)由衍射花招中任意兩個(gè)不共線的晶面叉乘,驗(yàn)算晶帶軸是否正確。

  3.查表法(比值法)-2

  a)測(cè)量透射斑到衍射斑的最小、次小和第三小矢徑的長(zhǎng)度r1, r2, r3;

  b)依據(jù)矢徑長(zhǎng)度的比值r2/r1 和r3/r1查表,在與此物相對(duì)應(yīng)的表格中查找與其匹配的晶帶花招;

  c)按表上的效果標(biāo)定電子衍射花招,算出與衍射斑斕對(duì)應(yīng)的晶面的面間隔,將其與矢徑的長(zhǎng)度相乘看它等不等于相機(jī)常數(shù)(這一步非常重要);

  d)由衍射花招中任意兩個(gè)不共線的晶面叉乘,驗(yàn)算晶帶軸是否正確。

  之所以有兩種不同的查表法,是由于有兩種不同的表格,它們的查詢(xún)辦法和原理底子上是一同的。

  查表法應(yīng)該留心的問(wèn)題:

  首要查表法標(biāo)定完了往后必定要用相機(jī)常數(shù)來(lái)驗(yàn)算,由于即使物相是已知的,同一種物相中也會(huì)有形狀底子相同的花招,但它們不可能是由相同的晶面構(gòu)成,因而算出來(lái)的相機(jī)常數(shù)也不可能相同;

  由兩個(gè)矢徑和一個(gè)夾角來(lái)查表時(shí),有的表總是取銳角,這樣有優(yōu)點(diǎn),但查表時(shí)要留心你的花招或許和表上的晶帶軸反號(hào),所以標(biāo)定完了之后,必定要用不共線的兩矢量叉乘來(lái)驗(yàn)算;假設(shè)夾角不是只取銳角,一般不存在這個(gè)問(wèn)題;

  假設(shè)從衍射花招上得到的值在表上查不到,則要留心與你的夾角互補(bǔ)的效果,由于晶帶軸的正反向在表中往往只需一個(gè)值。

  02超點(diǎn)陣花招

  當(dāng)晶體是由兩種或許兩種以上的原子或許離子構(gòu)成時(shí),關(guān)于晶體中的任何一種原子或許離子,假設(shè)它可以隨機(jī)地占有點(diǎn)陣中的任何一個(gè)陣點(diǎn),則咱們稱(chēng)該晶體是無(wú)序的;假設(shè)晶體中不同的原子或許離子只能占有特定的陣點(diǎn),則該晶體是有序的。

  晶體從無(wú)序相向有序相改動(dòng)往后,在發(fā)生有序的方向會(huì)出現(xiàn)平移周期的加倍,然后引起平移群的改動(dòng)。由此引發(fā)的最顯著的特征是在某些方向出現(xiàn)與平移對(duì)稱(chēng)對(duì)應(yīng)的超點(diǎn)陣斑斕。

  上圖就是CuAu3無(wú)序和有序的模型和對(duì)應(yīng)的電子衍射花招。其間圖a是CuAu3無(wú)序時(shí)的晶體結(jié)構(gòu)模型,而圖b是有序時(shí)的晶體結(jié)構(gòu)模型;圖c是與無(wú)序?qū)?yīng)的電子衍射花招,而圖d則是與有序?qū)?yīng)的超點(diǎn)陣電子衍射花招。

  上圖是CsCl無(wú)序和有序的模型和對(duì)應(yīng)的電子衍射花招。其間圖a是CsCl無(wú)序時(shí)的晶體結(jié)構(gòu)模型,而圖b是有序時(shí)的晶體結(jié)構(gòu)模型;圖c是與無(wú)序?qū)?yīng)的電子衍射花招示意圖,而圖d則是與有序?qū)?yīng)的超點(diǎn)陣電子衍射花招示意圖。

  上圖是超點(diǎn)陣花招的一些實(shí)例,這些花招是從一種沿[111]方向具有六倍周期的凌亂有序鈣鈦礦相中得到的。圖a是沿[010]方向2倍周期有序的超點(diǎn)陣電子衍射花招,圖b是沿[101]方向2倍周期有序的超點(diǎn)陣電子衍射花招,圖c是沿[11-1]方向2倍周期有序的超點(diǎn)陣電子衍射花招,而圖d則是沿[111]方向6倍周期有序的電子衍射花招。

  03孿晶電子衍射花招

  所謂孿晶,通常指按必定取向聯(lián)絡(luò)并排成長(zhǎng)在一同的同一物質(zhì)的兩個(gè)晶粒。從晶體學(xué)上講,可以把孿晶晶體的一部分當(dāng)作另一部分以某一低指數(shù)晶面為對(duì)稱(chēng)面的鏡像;或以某一低指數(shù)晶向?yàn)樾D(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)必定的角度。

  孿晶的分類(lèi):

  1、按晶體學(xué)特征:反映孿晶和旋轉(zhuǎn)孿晶;

  2、按構(gòu)成辦法:成長(zhǎng)孿晶和形變孿晶;

  3、按孿晶形狀:二次孿晶和高次孿晶。

     04二次衍射

  在電子束穿行晶體的過(guò)程中,會(huì)發(fā)生較強(qiáng)的衍射束,它又可以作為入射束,在晶體中發(fā)生再次衍射,稱(chēng)為二次衍射。二次衍射構(gòu)成的新的附加斑斕稱(chēng)作二次衍射斑。二次衍射很強(qiáng)時(shí),還可以再行衍射,發(fā)生多次衍射。

  發(fā)生二次衍射的條件:

  1、晶體滿(mǎn)意厚;

  2、衍射束要有滿(mǎn)意的強(qiáng)度。

  


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