做透射電鏡需要多少樣品 二維碼
發(fā)表時間:2023-02-06 14:43作者:鑠思百檢測 透射電鏡對樣品的要求 1. 樣品一般應為厚度小于100nm的固體。 2. 樣品在電鏡電磁場作用下不會被吸出,附于極靴上。 3. 樣品在高真空中能保持穩(wěn)定。 4. 不含有水分或其它易揮發(fā)物,含有水分或其他易揮發(fā)物的試樣應先烘干。 TEM樣品常放置在直徑為3mm的200目載網(wǎng)上 納米粉末樣品的制備方法 1、研磨法 將(研磨后的)粉末放在去離子水或無水乙醇溶液里,用超聲波分散器將需要觀察的粉末分散成懸浮液。 用滴管滴幾滴在覆蓋有支持膜的電鏡載網(wǎng)上,待其干燥(或用濾紙吸干)后, 即成為電鏡觀察用的粉末樣品。 載網(wǎng)種類: 方華支持膜:方華支持膜的化學成分是聚乙烯醇縮甲醛,由于是純的有機 膜,所以膜的彈性好,厚度通常為 10nm 左右,透射電鏡觀察時背底影響小。但方華膜因導電性不好,在電子束照射下,易因高溫或電荷積累,產(chǎn)生樣品漂移甚 至膜破損,通常在 100kV 電鏡和生物樣品中使用較多。 碳支持膜:是一種最常用的支持膜,有兩層膜結構。從下至上依次為裸網(wǎng)、方華膜和碳膜,由于碳層具有較強的導電性和導熱性,彌補了無碳方華膜的荷電效應以及熱效應,增強了膜整體的穩(wěn)定性,適合大多數(shù)納米材料和生物樣品的一般形貌觀察用于常規(guī)樣品制樣。 微柵:在膜上制作出微孔,以便使樣品搭載在微孔邊緣,使樣品“無膜”觀察,提高圖象襯度。觀察管狀、棒狀、納米團聚物效果好,特別是觀察這些樣品的高分辨像及mapping時更是最佳選擇。 超薄碳膜:在微柵的基礎上疊加了一層很薄的碳膜,一般為3-5納米。這層超薄碳膜的目的是用超薄碳膜把微孔堵住。主要針對粒度較小的納米材料。如10納米以下分散性很好的納米材料,如果用微柵可能從微孔中漏出,如果在微柵孔邊緣,由于膜厚可能會影響觀察。所以用超薄碳膜就會得到很好的效果。 純碳膜:當樣品所用的有機溶劑(氯仿、甲苯等)能夠溶解方華膜時,載網(wǎng)膜中就要去除方華膜,只剩碳膜,稱為純碳膜,碳膜的厚度通常為 20nm 左右,在高分辨觀察時背底的影響也比較明顯。 雙聯(lián)載網(wǎng)支持膜:將兩片載網(wǎng)膜連在一起,負載樣品后,將樣品夾住,形成三明治的結構,加強了對樣品的固定,比如應用于磁性材料可避免其吸附到透射電鏡的極靴上。 載網(wǎng)膜的選擇 由上述介紹的載網(wǎng)膜的結構及特點,可根據(jù)樣品的特征選擇合適的載網(wǎng)膜,匯總如下表所示,需要說明的是一些特殊情況: (1) 用能譜分析銅元素時,不能選用銅載網(wǎng),要選用鎳、鉬等其他材質的載網(wǎng)膜,同理分析碳元素時,要用氮化硅膜。 (2)在做高分子、生物樣品切片后需要染色時要用裸網(wǎng)或微柵,因為染色劑通常會染方華膜。 (3)在負載一些二維方向尺度較大的薄膜樣品時,比如大面積的石墨烯膜、有機膜,如果用碳支持膜背底影響較大 用微柵膜在低倍觀察時有微柵孔的結構,因此可選用目數(shù)較高的裸網(wǎng),如 1000 目、2000 目的銅裸網(wǎng)。
2、樹脂包埋法 理想的包埋劑應具有:高強度,高溫穩(wěn)定性,與多種溶劑和化學藥品不起反應。目前常用國產(chǎn)環(huán)氧樹脂618、Epon812環(huán)氧樹脂、及低黏度包埋Spurr。 包埋劑配制及使用過程中的注意事項: (1)所有容器及玻璃棒等應是清潔和干燥的; (2)配制過程中應攪拌均勻,使用過程中應避免異物,特別是水、乙醇、丙酮等混入包埋劑; (3)配制好的包埋劑應密封保存,避免受潮。剩余包埋劑可密封并儲存在-10—-20℃冰箱中,延長其使用期。 包埋方法: 將待觀察的樣品塊放入灌滿包埋劑的適當模具(如膠囊)中,恒溫箱內加溫固化, Spurr70℃烤箱內8h即可固化,國產(chǎn)樹脂618、Epon812環(huán)氧樹脂需37℃過夜,經(jīng)45℃ 12h、60℃ 24h可固化。將包埋固化后的樣品取出,用超薄切片機切片后,分散于載網(wǎng)上,即可制得透射觀察所需要的樣品。 塊體樣品的制備方法 1、離子減薄 特點:不受材料電性能的影響,即不管材料是否導電,金屬或非金屬或者二者混合物,不管材料結構多復雜均可用此方法制備薄膜。 (1)樣品裁剪:將樣品沖壓成直徑3mm的圓片。 (2)研磨拋光:將樣品圓片用手動研磨盤手動研磨至厚度低于80微米的圓片。 (3)凹坑:凹坑儀單面凹坑至圓片中心厚度為10-30微米。 (4)離子減?。涸O置好離子槍角度、減薄時間、加速電壓將樣品減薄至出現(xiàn)足夠薄區(qū)
2、電解雙噴 特點:受材料電性能的影響,只能用于金屬樣品,并且耗時短成本低。 (1)樣品裁剪:將樣品沖壓成直徑3mm的圓片。 (2)研磨拋光:將樣品圓片用手動研磨盤手動研磨至厚度低于100微米的圓片。 (3)凹坑:凹坑儀單面凹坑至圓片中心厚度為10-30微米。 (4)電解雙噴:設置好電解液、電壓、溫度將樣品減薄至出現(xiàn)足夠薄區(qū) |