鑠思百檢測

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

透射電子顯微鏡(TEM-EDS)掃描電子顯微鏡(FESEM-EDS)球差電鏡激光共聚焦顯微鏡(LSCM)原子力顯微鏡(AFM)電子探針儀(EPMA)金相顯微鏡電子背散射衍射儀(EBSD)臺階儀,膜厚儀,探針接觸式輪廓儀,3D輪廓儀工業(yè)CT白光干涉儀(非接觸式3D表面輪廓儀)電鏡測試FIB制樣離子減薄制樣冷凍超薄切片制樣樹脂包埋制樣(生物制樣)液氮脆斷制樣金網鉬網銅網超薄碳膜微柵制樣電鏡制樣X射線光電子能譜分析儀(XPS)紫外光電子能譜(UPS)俄歇電子能譜(AES)X射線衍射儀(XRD)X射線散射儀SAXS/WAXSX射線殘余應力分析儀X射線熒光光譜分析儀(XRF)電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)紫外可見反射儀(DRS)拉曼光譜(RAMAN)紫外-可見分光光度計(UV)圓二色譜(CD)傅里葉變換紅外光譜分析儀(FTIR)吡啶紅外(DRIFTS)單晶衍射儀穆斯堡爾光譜儀穩(wěn)態(tài)瞬態(tài)熒光光譜分析儀(PL)原子吸收分光光度計原子熒光光度計(AFS)三維熒光 /熒光分光光度計紅外熱成像儀霧度儀旋光儀橢偏儀光譜測試電感耦合等離子體質譜儀(ICP-MS)電噴霧離子化質譜儀(ESI-MS)頂空-固相微萃取氣質聯(lián)用儀(HS -SPME -GC -MS)二次離子質譜(SIMS)基質輔助激光解吸電離飛行時間質譜儀(MALDI-TOF)裂解氣質聯(lián)用儀(PY-GC-MS)氣質聯(lián)用儀(GC-MS)同位素質譜儀液質聯(lián)用儀(LC-MS)質譜測試差示掃描量熱儀(DSC)熱重分析儀(TGA)熱分析聯(lián)用儀(DSC-TGA)靜態(tài)/動態(tài)熱機械分析儀(TMA/DMA)熱重紅外聯(lián)用儀(TG-IR)熱重紅外質譜聯(lián)用儀(TG-IR-MS)熱重紅外氣相質譜聯(lián)用(TG-IR-GC-MS)紅外熱成像儀激光導熱儀錐形量熱儀(CONE)熱譜測試電子順磁共振波譜儀(EPR、ESR)固體核磁共振儀(NMR)液體核磁共振儀(NMR)微波網絡矢量分析儀/矢量網絡分析儀核磁順磁波譜測試比表面及孔徑分析儀(BET)表面張力儀(界面張力儀)高壓吸附儀化學吸附儀(TPD TPR)接觸角測量儀納米壓痕儀壓汞儀(MIP)表界面物性測試氣相色譜儀(GC)高效液相色譜儀(HPLC)離子色譜儀(IC)凝膠色譜儀(GPC)液相色譜(LC)色譜測試電導率儀電化學工作站腐蝕測試儀介電常數(shù)測定儀卡爾費休水分測定儀自動電位滴定儀電化學儀器測試Zeta電位儀工業(yè)分析激光粒度儀流變儀密度測定儀納米粒度儀邵氏 維氏 洛氏硬度計有機鹵素分析儀(F,Cl,Br,I,At,Ts)有機元素分析儀(EA)粘度計振動樣品磁強計(VSM)土壤分析測試植物分析測試其他測試同步輻射GIWAXS GISAXS同步輻射XRD,PDF,SAXS同步輻射吸收譜-高能機時同步輻射吸收譜之軟X射線同步輻射吸收譜之硬X射線同步輻射聚焦離子束掃描電鏡(FIB-SEM)礦物定量分析系統(tǒng)MLA球差校正透射電子顯微鏡高端電鏡類原位XPS測試原位EBSD(in situ -EBSD)原位紅外原位掃描電子顯微鏡(in-situ-SEM)原位透射電子顯微鏡高端原位測試飛行時間二次離子質譜儀(TOF-SIMS)輝光放電光譜(GD-OES MS)三維原子探針(APT)高端質譜類Micro/Nano /工業(yè)CT飛秒瞬態(tài)吸收光譜儀(fs-TAS)掃描隧道顯微鏡深能級瞬態(tài)譜儀正電子湮滅壽命譜儀其他XPS數(shù)據(jù)分析XRD全巖黏土分析表面成分分析技術-XPS測試分析常規(guī)XRD數(shù)據(jù)分析成分指紋分析技術-紅外測試分析二維紅外光譜技術紅外(IR)數(shù)據(jù)分析拉曼數(shù)據(jù)分析三維熒光數(shù)據(jù)分析圓二色譜(CD)數(shù)據(jù)分析成分含量分析EPR/ESR數(shù)據(jù)分析VSM數(shù)據(jù)分析電化學數(shù)據(jù)分析矢量網絡數(shù)據(jù)分析電磁分析CT數(shù)據(jù)分析X射線吸收精細結構普(XAFS)數(shù)據(jù)分析穆斯堡爾譜數(shù)據(jù)分析小角散射(SAXS/WAXS)數(shù)據(jù)分析高端測試分析固體核磁數(shù)據(jù)分析液體核磁(NMR)測試+分析一體化液體核磁(NMR)數(shù)據(jù)分析化學結構分析EBSD數(shù)據(jù)分析TEM數(shù)據(jù)分析單晶XRD數(shù)據(jù)分析晶體結構確證技術-XRD精修XRD定性定量分析晶體結構分析BET數(shù)據(jù)分析其它數(shù)據(jù)分析需求熱分析數(shù)據(jù)處理數(shù)據(jù)分析作圖其他數(shù)據(jù)分析半導體激光器模擬發(fā)光二極管仿真光電探測器仿真太陽能電池仿真半導體器件仿真表面能差分密度磁矩單原子催化電荷密度電解水制氫反應(HER)費米面(fermi surface)電子局域化函數(shù)(electron localization function)第一性原理分子模擬量子化學相分析有限元模擬常規(guī)理化-水樣常規(guī)理化-土樣/沉積物常規(guī)理化-氣體常規(guī)理化-植物/蔬果/農作物常規(guī)理化-食品常規(guī)理化-肥料/飼料常規(guī)理化-巖礦常規(guī)理化-垃圾常規(guī)理化-職業(yè)衛(wèi)生常規(guī)理化-其它常規(guī)理化項目纖維素、半纖維素、木質素含量bcr形態(tài)順序提取/tessier五步提取法土壤水體抗生素微塑料微生物磷脂脂肪酸(PLFA)非標理化-其它非標理化項目穩(wěn)定同位素放射性同位素同位素-其它金屬同位素同位素多糖的單糖組成測定可溶性寡糖定量土壤氨基糖多糖全套分析多糖甲基化植物糖化學-常規(guī)指標糖化學液質聯(lián)用LCMS高效液相色譜HPLC氣相色譜GC氣質聯(lián)用GCMS全二維氣質GC×GC-MS氣相色譜-離子遷移譜聯(lián)用儀(GC-IMS)液相色譜-原子熒光聯(lián)用(LC-AFS)制備型HPLC色譜質譜數(shù)據(jù)分析液相色譜-電感耦合等離子體質譜(LC-ICPMS)色譜質譜DOM(FT- ICR- MS)水質NOM(LC-OCD-OND)DOM(FT-ICR-MS)數(shù)據(jù)分析環(huán)境高端電池產品整體解決方案正極顆粒表面微觀形貌正極顆粒物截面形貌與元素三元正極顆粒循環(huán)前后晶界裂紋正極顆粒摻雜元素分布正極顆粒截面元素分布和晶格表征正極極片原位晶相分析正極極片截面元素分布和晶格表征正極表面CEI膜測試方法XPS正極極片截面微觀形貌觀察和元素分布正極極片CEI膜成分分析與厚度測定正極極片介電常數(shù)正極極片浸潤性正極極片包覆層觀察正極極片雜質含量測定正極極片氧空位測定負極顆粒表面微觀形貌觀察和元素分布負極顆粒截面微觀形貌觀察和元素分布石墨類型判定負極顆粒粒徑分析負極極片孔洞分析負極顆粒包覆層觀察負極顆粒羥基含量測定負極極片包覆層觀察負極表面SEI膜分析XPS法負極極片SEI膜成分分析與厚度測定負極極片截面微觀形貌觀察和元素分布負極極片石墨碳和無定型碳比例隔膜表面微觀形貌觀察隔膜循環(huán)前后孔徑變化質子交換膜形貌(厚度)觀察 CP+SEM質子交換膜雜質元素電池循環(huán)后鼓包氣電池循環(huán)后爆炸氣鋰電池極片和集流體間的粘結強度三元正極材料NCM比例燃料電池-整體解決方案電池產品-隔膜電池產品-優(yōu)勢項目正極材料-PH值正極材料-比表面積正極材料-磁性異物正極材料-化學成分正極材料-晶體結構正極材料-粒徑分布正極材料-首次放電比容量及首次庫倫效率正極材料-水分含量正極材料-松裝密度正極材料-未知物分析正極材料-形貌,厚度與結構正極材料-壓實密度正極材料-振實密度電池產品-正極材料負極材料-PH值負極材料-比表面積負極材料-層間距 石墨化度負極材料成分分析負極材料-磁性異物負極材料-粉末壓實密度負極材料-固定碳含量負極材料-化學成分負極材料-粒徑分布負極材料-石墨鑒定負極材料-水分負極材料-限用物質含量負極材料-形貌與結構負極材料-陰離子的測定負極材料-有機物含量負極材料-真密度負極材料-振實密度負極顆粒-石墨取向性(OI值)首次放電比容量及首次庫倫效率電池產品-負極材料電解液-電導率電解液-化學元素含量電解液-密度電解液-水分含量電解液-未知物分析電解液-游離酸(HF含量)電池產品-電解液電池產品-隔膜電池產品-隔膜
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掃描電子顯微鏡-SEM

 二維碼
發(fā)表時間:2023-08-08 14:05作者:鑠思百檢測

一、SEM 原 理 介 紹

SEM的工作原理掃描電鏡是利用聚焦得非常細的高能電子束在試樣上掃描,激發(fā)出各種物理信息。

通過對這些信息的接受、放大和顯示成像,獲得測試試樣表面形貌的觀察。當一束極細的高能入射電子轟擊掃描樣品表面時,被激發(fā)的區(qū)域將產生二次電子、俄歇電子、特征X射線和連續(xù)譜X射線、背散射電子、透射電子,以及在可見、紫外、紅外光區(qū)域產生的電磁輻射。同時可產生電子-空穴對、晶格振動(聲子)、電子振蕩(等離子體)。


二、主 要 應 用 與 測 試 項 目

主要應用SEM利用二次電子和背散射電子信號,通過真空系統(tǒng)、電子束系統(tǒng)和成像系統(tǒng)獲取被測樣品本身的各種物理、化學性質的信息,如形貌、組成、晶體結構、電子結構和內部電場或磁場等的一種分析儀器,隨著科學技術水平的提高,其放大倍數(shù)可達幾十萬倍,分辨率可達納米級別,是形貌和成分分析領域極其重要的一種工具。


應用方向:

----納米技術、材料、物理、生物、化學、熱能、地球科學、環(huán)境、光電子

----粉末、微粒樣品形態(tài)的測定、復合材料界面特性的研究

----金屬、陶瓷、礦物、水泥、半導體、紙張、塑料、食品、農作物、細胞等材料的顯微形貌分析

----材料中元素定性分析、定量分析、線分析、面分析,材料及電子器件失效分析

測試項目① 表觀形貌、能譜點掃、能譜線掃、能譜面掃(Mapping)(注:可鍍金,非磁/弱磁/強磁均可拍攝);

② 表觀形貌:儀器放大倍數(shù)范圍為100~20W倍,常規(guī)樣品可以拍攝到8~10W倍,導電性不好或磁性樣品大于8W倍可能會不清晰;

③ 能譜:SEM能譜一般只能測C(含C)以后的元素(注:B元素也能做,但是不準,不建議做),如需要打能譜,需要備注好測試位置及能譜打哪些元素,需要注意的是制樣時待測元素不能與基底成分有重合,如果要測C元素,樣品不要分散到含C的基底上,可以分散到硅片/錫紙上,如果要測Si元素,注意不要制樣到硅片上;

④ 鍍金:為了保證拍攝效果,一般導電差或者是強磁性的樣品都需要鍍金之后進行拍攝;

⑤ 磁、磁性(弱磁/強磁)定義:含鐵、鈷、鎳、錳等磁性元素均為磁性樣品,吸鐵石能吸起來為強磁,吸鐵石吸不起來為弱磁。(注:磁性分硬磁和軟磁,有些材料對外不表現(xiàn)磁性,但加磁場后容易磁化,受熱后磁性增強)。

三、制 樣 說 明

① 樣品狀態(tài):粉末、薄膜、塊體、液體樣品均可測試;

② 粉體樣品:大概10mg,
     (1)常規(guī)粉末直接用導電膠粘在樣品臺上測試;

     (2)乙醇分散制樣:取少量樣品于離心管中,加入一定量無水乙醇(或水),室溫超聲5~10min,隨后采用(2)中液體的制樣方式制樣測試,如需分散后測試請?zhí)崆罢f明;

③ 塊體/薄膜樣品:長、寬、厚度均<1cm,請標明測試面,如需測試截面,請自行自備截面或(提前說明:需明確截面制備方法,一般可以提供剪刀裁剪和液氮脆斷兩種方式);

④ 液體樣品:測試老師根據(jù)樣品要求及實驗室條件,用移液槍取樣品超聲后的懸濁液,滴一滴于導電膠、硅片或錫紙/鋁箔上,自然風干/紅外燈烘干,烘干后將硅片或錫紙用導電膠粘在樣品臺上測試如有指定要求請?zhí)崆罢f明。


四、注 意 事 項

① 僅針對材料類,生物等樣品另外說明。要求樣品無毒/無放射性/干燥無污染/熱穩(wěn)定性好/耐電子束轟擊;

② 樣品是否導電。不導電/導電性差(如半導體金屬氧化物、生物樣品及塑料、陶瓷等)的樣品或強磁樣品建議做噴金處理(以增強樣品的導電性),不噴金可能會影響拍攝效果,默認噴金時長50s,如需延長噴金時間或噴碳等請?zhí)崆罢f明,如果樣品由于您要求不噴金而導致效果不好,測試老師可能不好安排復測;

③ 樣品是否有磁性。磁性顆粒,易吸附到極靴上,原則上電鏡(SEM和TEM)不拍磁性樣品。根據(jù)不同老師的經驗,對所拍樣品中磁性強弱的接受度不同,所以請大家務必如實填寫樣品是否含磁及磁性的強弱。而且因隱瞞樣品信息導致儀器損壞,可能需要您承擔全部賠償責任;

④ 混凝土、珊瑚沙、氣凝膠、水凝膠等需要抽真空時間非常長的樣品尺寸請盡可能直徑≤5mm,厚度≤5mm,送樣前請一定跟測試老師確認后再下單;水凝膠等易吸潮樣品寄樣前請先確認樣品暴露4~5h內是否會出現(xiàn)明顯的吸潮現(xiàn)象,測試過程中樣品吸潮會影響拍攝的同時也會對儀器造成損傷;

⑤ 需要脆斷的樣品,尺寸需要≥2*2cm,厚度<0.5cm,較厚的樣品建議尺寸準備大些;

⑥ 塊體測試如需同時拍攝表面和截面,需要分組預約,按兩個樣品收費;

⑦ 一般測試時會盡量選擇低電壓進行拍攝,若對工作電壓有特殊要求,請?zhí)崆皞渥ⅰ?/p>

⑧ 含水/濕潤樣品是不能做SEM的;

易分解樣品需明確分解條件(如溫度等),若樣品極易分解可能不能安排測試,因為分解后產生物質可能對測試儀器造成影響。


文章分類: 科研設備
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