鑠思百檢測(cè)

DETECTION OF TECHNICAL SOUSEPAD

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光致發(fā)光譜怎么測(cè)試

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發(fā)表時(shí)間:2023-12-30 15:58作者:鑠思百檢測(cè)
光致發(fā)光是用光激發(fā)物體引起的發(fā)光現(xiàn)象。這是發(fā)光現(xiàn)象中研究最多,應(yīng)用最廣的領(lǐng)域,是了解其他發(fā)光現(xiàn)象的基礎(chǔ)。它包括光吸收、能量傳遞及光發(fā)射等過程,這些過程可以提供有關(guān)材料結(jié)構(gòu)、成分及環(huán)境原子排列的信息。那么光致發(fā)光譜怎么測(cè)試呢,目前,光致發(fā)光技術(shù)已成為研究固體中電子過程的重要手段,由于它無須對(duì)樣品表面進(jìn)行加工,對(duì)樣品厚度也沒有什么要求。因此,它是一種無破壞性的檢測(cè)手段,特別適合于研究小樣品。今天鑠思百檢測(cè)小編帶大家詳細(xì)了解一下。
F-4500F-7000儀器設(shè)備操作流程基本一致,流程主要包括壓片>發(fā)射譜圖的掃描>激發(fā)譜圖的掃描>發(fā)射譜圖的反推等,下面是具體實(shí)驗(yàn)操作流程。
一、樣品的制備
如左圖所示,將石英玻璃片(右邊)小心的平鋪在壓片模具的凹槽(中間)中,然后將研磨好的待測(cè)樣品均勻地分散在玻璃片上,最后將旋鈕(左邊)蓋在凹槽上,制作成如右圖所示的裝有樣品的模具,此操作注意旋緊旋鈕時(shí)應(yīng)小心謹(jǐn)慎,以免壓壞玻璃片。
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二、固體支架的安裝
如左圖所示,將壓片模具中樣品暴露在外的一面對(duì)準(zhǔn)光源孔放置在熒光固體支架上。如中圖所示,取下F-4500中固定熒光液體支架的螺絲,順利取下熒光液體支架,之后將熒光固體支架固定在F-4500的儀器上,注意要將熒光固體支架的光源孔對(duì)準(zhǔn)F-4500的光源方向。待固體支架安裝好以后,準(zhǔn)備對(duì)待測(cè)樣品進(jìn)行固體熒光的測(cè)試。
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三、發(fā)射光譜的掃描
打開F4500主機(jī)電源,待燈源全部顯示正常開啟后,點(diǎn)擊FL solutions快捷方式,打開儀器工作程序的窗口。等待程序窗口的頁面都顯示為開啟狀態(tài)(開啟時(shí)圖標(biāo)未呈現(xiàn)灰色,都呈現(xiàn)彩色),可進(jìn)行熒光測(cè)試的操作。
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點(diǎn)擊Method圖標(biāo),在打開的Analysis Method框圖中,點(diǎn)擊General圖標(biāo),選擇Mesurenent中的Wavelength scan(圖一),點(diǎn)擊Insrument,選擇Scan mode中的Emission,固定EX WL(激發(fā)波長(zhǎng))為某一整數(shù)值X(只能是200-900),則EM Start WL(開始發(fā)射掃描時(shí)的波長(zhǎng))為X+20,EM End WL(結(jié)束發(fā)射掃描時(shí)的波長(zhǎng))為2X-20,本教程所設(shè)定的參數(shù)如圖二所示。并且將狹縫寬度中發(fā)射和激發(fā)的狹縫寬度都調(diào)整成5.0,電壓調(diào)整成400,其余數(shù)值采用默認(rèn)值。最后,點(diǎn)擊Report,將Report Date start設(shè)置為320-580(圖三)。

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參數(shù)設(shè)置好以后,點(diǎn)擊確定,然后點(diǎn)擊Mesure圖標(biāo),開始進(jìn)行發(fā)射光譜的掃描,儀器結(jié)束掃描后將自動(dòng)給出相應(yīng)的測(cè)量參數(shù),包括最大發(fā)射波長(zhǎng),以及對(duì)應(yīng)的熒光強(qiáng)度(見下圖)。掃描的數(shù)據(jù)不僅可以用來分析發(fā)射譜圖,還可以根據(jù)發(fā)射譜圖的最大發(fā)射波長(zhǎng)反推激發(fā)譜圖的相應(yīng)數(shù)據(jù)(推導(dǎo)方式見四)。

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如果發(fā)射譜圖的光譜強(qiáng)度不合適,可以調(diào)整Emission中的EXWL,即激發(fā)波長(zhǎng),也可以調(diào)整狹縫寬度以及電壓。如果發(fā)射譜圖的光譜強(qiáng)度依然不合適,在進(jìn)行激發(fā)譜圖的掃描操作后,可再一次反推發(fā)射峰。

四、激發(fā)光譜的掃描
點(diǎn)擊Method圖標(biāo),在打開的Analysis Method框圖中,點(diǎn)擊Instrument>Scan mode>Excitation,將EMWL設(shè)定為上一步操作中所掃描出最大的發(fā)射波長(zhǎng),EX Start WL設(shè)定為為EMWL的一半,EX End WL設(shè)定得比EMWL小一些,狹縫寬度和電壓保持步驟三中操作所設(shè)定的默認(rèn)值。本教程所設(shè)定的參數(shù)如圖一所示。最后,點(diǎn)擊Report,將Report Date start設(shè)置為209-410(圖二)。點(diǎn)擊確定,退出頁面后點(diǎn)擊Mesure,開始進(jìn)行掃描。
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儀器結(jié)束掃描后將自動(dòng)給出相應(yīng)的測(cè)量參數(shù),包括最大激發(fā)波長(zhǎng),以及對(duì)應(yīng)的熒光強(qiáng)度(見下圖)。掃描的數(shù)據(jù)不僅可以用來分析激發(fā)譜圖,還可以根據(jù)激發(fā)譜圖中最大的激發(fā)波長(zhǎng)倒推發(fā)射圖譜(詳見五)。

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五、發(fā)射譜圖的反推
點(diǎn)擊“Method”圖標(biāo),在打開的“Analysis Method”框圖中,點(diǎn)擊Instrument>Scanmode>Emission,將“EX WL”設(shè)定為上一步操作中所掃描出最大的激發(fā)波長(zhǎng),同樣“EM Start WL”(開始發(fā)射掃描時(shí)的波長(zhǎng))為X+20“EM End WL”(結(jié)束發(fā)射掃描時(shí)的波長(zhǎng))為2X-20,狹縫寬度和電壓保持上一步操作所設(shè)定的默認(rèn)值,本教程所設(shè)定的參數(shù)如圖一所示。最后,點(diǎn)擊“Report”,將“Report Date start”設(shè)置為357-654(圖二)。點(diǎn)擊確定,退出頁面后點(diǎn)擊“Mesure”,開始進(jìn)行掃描。儀器結(jié)束掃描后將自動(dòng)給出相應(yīng)的測(cè)量參數(shù),最大發(fā)射波長(zhǎng),以及對(duì)應(yīng)的熒光強(qiáng)度(見下圖)。掃描的數(shù)據(jù)可作為最終發(fā)射圖譜使用。
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六、文件的保存
將反推所得出的EXEM譜圖的文件分別另存為*.FDS*.TXT兩種格式,*.FDS格式可采用熒光軟件打開,*.TXT格式可進(jìn)行origin繪圖操作。
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七、數(shù)據(jù)的處理
使用origin打開上述所保存的*.TXT文件,畫出發(fā)射光譜和激發(fā)光譜的光譜疊加圖,初步分析實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),實(shí)驗(yàn)作圖如下圖所示。由于光致發(fā)光遵循斯多克斯定律,即由物體所發(fā)射的波長(zhǎng)(發(fā)射波長(zhǎng),黑線)總是大于激發(fā)輻照的波長(zhǎng)(激發(fā)波長(zhǎng),紅線),并且發(fā)射的能量始終小于吸收的能量(如下圖所示)。
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八、數(shù)據(jù)的分析(針對(duì)光催化過程)
物質(zhì)在光的激勵(lì)下,電子從價(jià)帶躍遷至導(dǎo)帶,并在價(jià)帶上留下空穴,電子和空穴的復(fù)合,將導(dǎo)致光致發(fā)光,進(jìn)而形成不同波長(zhǎng)光的強(qiáng)度或能量分布的光譜圖。光致發(fā)光過程包括熒光發(fā)光和磷光發(fā)光。光致發(fā)光的峰越強(qiáng)的話,離開導(dǎo)帶并與空穴發(fā)生復(fù)合的電子越多,產(chǎn)生的光子能量越多,進(jìn)而說明電子和空穴的復(fù)合率越高,即兩者分離效率越低。
如下圖所示,樣品12,3中,發(fā)光強(qiáng)度的大小順序?yàn)闃悠?/span>1>樣品2>樣品3,說明樣品1光生電子和空穴復(fù)合后產(chǎn)生的光子最多,光致發(fā)光的強(qiáng)度最強(qiáng),進(jìn)而光催化活性最弱。
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